B. BENBAHI

الانتماء : Université des Sciences et de la Technologie d'Oran Mohamed Boudiaf

1منشورات (انتماء جزائري)
1مجموع المنشورات
2الاستشهادات
1مؤشر h

الملف البحثي

لدى B. BENBAHI 1 منشور(ات) مفهرسة (2013). تُنشر أعماله أساسًا في «Surface Review and Letters». أكثر مقالاته استشهادًا هو «THE EFFECT OF DOPANT DOSE LOSS DURING ANNEALING ON HEAVILY DOPED SURFACE LAYERS OBTAINED BY RECOIL IMPLANTATION OF ANTIMONY IN SILICON» (2013)، وقد استُشهد به 2 مرة. شارك في تأليف أعماله 5 باحثًا على الأقل.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

Semiconductor materials and devices
Semiconductor materials and interfaces
Ion-surface interactions and analysis

المنشورات (1)

THE EFFECT OF DOPANT DOSE LOSS DURING ANNEALING ON HEAVILY DOPED SURFACE LAYERS OBTAINED BY RECOIL IMPLANTATION OF ANTIMONY IN SILICON
2013 · Surface Review and Letters · استُشهد به 2 مرة

التعاون العلمي

المؤسسات الشريكة : Université Djilali de Sidi Bel Abbès

المؤلفون المشاركون

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).