الرئيسية › دليل الباحثين › Oussama Baitiche
Oussama Baitiche
الانتماء : Amar Telidji University of Laghouat
- 9منشورات (انتماء جزائري)
- 10مجموع المنشورات
- 79الاستشهادات
- 6مؤشر h
الملف البحثي
لدى Oussama Baitiche 9 منشور(ات) مفهرسة (2022–2026). تُنشر أعماله أساسًا في «Revista Mexicana de Física»، «Optics & Laser Technology» و«ITEGAM- Journal of Engineering and Technology for Industrial Applications (ITEGAM-JETIA)». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Numerical Modeling of Hybrid Solar/Thermal Conversion Efficiency Enhanced by Metamaterial Light Scattering for Ultrathin PbS QDs-STPV Cell» (2024)، وقد استُشهد به 20 مرة. 6 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في إيطاليا.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Plasmonic and Surface Plasmon Research
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Thermal Radiation and Cooling Technologies
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Metamaterials and Metasurfaces Applications
المنشورات (9)
- Pediatric cancer refractive-index sensing with a deep learning-enhanced far-infrared highly sensitive spoof surface plasmon polariton metasurface absorber
- Enhanced Performance of Microstrip Antenna Arrays through Concave Modifications and Cut-Corner Techniques
- FDTD Modelling of Nanostructured Hemispherical Plasmonic Light Trapping for Enhanced Ultra-thin GaSb TPV Cell
- Diagnosis of misalignment faults using the DTCWT-RCMFDE and LSSVM algorithms
- Numerical Modeling of Hybrid Solar/Thermal Conversion Efficiency Enhanced by Metamaterial Light Scattering for Ultrathin PbS QDs-STPV Cell
- Plasmonic Metamaterial’s Light Trapping Enhancement of Ultrathin PbS-CQD Solar Thermal PV Cells
- Impact of AlN interlayer on the electronic and I-V characteristics of In0.17Al0.83N/GaN HEMTs devices
- Improved electrical characteristics of AlxGa1−xN/GaN High Electron Mobility Transistor by effect of physical and geometrical parameters
- Modeling the Abnormal Behavior of the 6H-SiC Schottky Diode Using Lambert W Function
مجلات النشر
- Revista Mexicana de Física × 2
- Optics & Laser Technology × 1
- ITEGAM- Journal of Engineering and Technology for Industrial Applications (ITEGAM-JETIA) × 1
- Semiconductors × 1
- Scientific Reports × 1
- Crystals × 1
المنشورات حسب السنة
- 20261
- 20253
- 20242
- 20232
- 20221
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : Ziane Achour University of Djelfa · Tissemsilt University · Université Djilali de Sidi Bel Abbès · University of Guelma · Renewable Energy Development Center
بلدان المؤلفين المشاركين : إيطاليا
المؤلفون المشاركون
- Abdelaziz Rabehi
- Abdelmalek Douara
- Fathi Bendelala
- Ali Cheknane
- Abdelaziz Rabehi
- Mawloud Guermoui
- Ahcene Boualleg
- Nabil Ikhlef
- Boudali Akkal
- Khadidja Younes
- M. Handami
- Elhadi Mehallel
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.