الرئيسية › دليل الباحثين › B. Grimbert
B. Grimbert
الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · Université de Lille · Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie
- 5منشورات (انتماء فرنسي)
- 109مجموع المنشورات
- 1466الاستشهادات
- 20مؤشر h
الملف البحثي
لدى B. Grimbert 5 منشور(ات) مفهرسة (2010–2014). تُنشر أعماله أساسًا في «HAL»، «Semiconductors» و«Microelectronic Engineering». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS» (2012)، وقد استُشهد به 44 مرة. 2 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 2 باحثًا على الأقل.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Advanced Power Amplifier Design
- Acoustic Wave Resonator Technologies
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
المنشورات (5)
- Effect of Passivation on Microwave Power Performances of AlGaN/GaN/Si HEMTs
- Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS
- The effects of gate length variation and trapping effects on the transient response of AlGaN/GaN HEMT’s on SiC substrates
- Parasitic effects and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate
- Effects of the drain width on the electrical behavior of deep defect in AlGaN/GaN/SiC HEMTs
مجلات النشر
- HAL × 1
- Semiconductors × 1
- Microelectronic Engineering × 1
- The European Physical Journal Applied Physics × 1
المنشورات حسب السنة
- 20141
- 20121
- 20103
المؤلفون المشاركون
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.