الرئيسية › دليل الباحثين › Benjamı́n Iñı́guez
Benjamı́n Iñı́guez
الانتماء : Universitat Rovira i Virgili
- 8منشورات (انتماء إسباني)
- 341مجموع المنشورات
- 4138الاستشهادات
- 33مؤشر h
الملف البحثي
لدى Benjamı́n Iñı́guez 8 منشور(ات) مفهرسة (2013–2020). تُنشر أعماله أساسًا في «International Journal of Reconfigurable and Embedded Systems (IJRES)»، «International Journal of Electronics Letters» و«International Conference on Optimization and Applications (ICOA)». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Compact drain-current model for undoped cylindrical surrounding-gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors including short chan» (2013)، وقد استُشهد به 22 مرة. 5 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 3 باحثًا على الأقل.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Semiconductor materials and devices
- Organic Electronics and Photovoltaics
- Thin-Film Transistor Technologies
- Low-power high-performance VLSI design
المنشورات (8)
- A compact model of transconductance and drain conductance for DMG-GC-DOT cylindrical gate MOSFET
- Surface Potential modeling of Dual Metal Gate-Graded Channel-Dual Oxide Thickness with two dielectric constant different of Surrounding Gate MOSFET
- An analytical drain current model for cylindrical gate DMG-GC-DOT MOSFET
- Analytical study of drain current and transconductance for a new cylindrical gate MOSFET structure
- An Analytical Drain Current Model for Dual-material Gate Graded - channel and Dual-oxide Thickness Cylindrical Gate (DMG-GC-DOT) MOSFET
- Compact mole fraction-dependent modeling of I-V and C-V characteristics in Al $$_{x}$$ x Ga $$_{1-x}$$ 1 - x N/GaN HEMTs
- Experimentally verified drain‐current model for variable barrier transistor
- Compact drain-current model for undoped cylindrical surrounding-gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors including short channel effects
مجلات النشر
- International Journal of Reconfigurable and Embedded Systems (IJRES) × 2
- International Journal of Electronics Letters × 1
- International Conference on Optimization and Applications (ICOA) × 1
- Nanoscience & Nanotechnology-Asia × 1
- Journal of Computational Electronics × 1
- Electronics Letters × 1
المنشورات حسب السنة
- 20202
- 20183
- 20171
- 20151
- 20131
المؤلفون المشاركون
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.