الرئيسية › دليل الباحثين › Boubekeur Birouk
Boubekeur Birouk
الانتماء : University of Jijel
- 16منشورات (انتماء جزائري)
- 22مجموع المنشورات
- 77الاستشهادات
- 7مؤشر h
الملف البحثي
لدى Boubekeur Birouk 16 منشور(ات) مفهرسة (1998–2023). تُنشر أعماله أساسًا في «Applied Physics A»، «Journal of Materials Science Materials in Electronics» و«Materials Science-Poland». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Frequency- and doping-level influence on electric and dielectric properties of PolySi/SiO2/cSi (MOS) structures» (2018)، وقد استُشهد به 15 مرة. شارك في تأليف أعماله 8 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في فرنسا.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Semiconductor materials and devices
- Semiconductor materials and interfaces
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Thin-Film Transistor Technologies
- ZnO doping and properties
المنشورات (16)
- Optoelectrical properties extraction using spectroscopic ellipsometry, in case of AZO thin films deposited by DC reactive sputtering in various oxygen concentration
- Deposition time and annealing effects on morphological and optical properties of ZnS thin films prepared by chemical bath deposition
- Deposition time and annealing effects on morphological and optical properties of ZnS thin films prepared by chemical bath deposition
- Frequency- and doping-level influence on electric and dielectric properties of PolySi/SiO2/cSi (MOS) structures
- Ellipsometry-based conductivity extraction in case of phosphorus doped polysilicon
- Study of the effect of experimental conditions on polysilicon solar cells
- Electrical Conductivity Extracted From Optical Characterization of Polysilicon Films
- MOS structures quality under annealing influence
- Impact of the polysilicon doping level and thermal oxidation on the properties of P-MOS capacitor structures
- Characterization by SEM and FTIR of B-LPCVD polysilicon films after thermal oxidation
- Thermal oxidation effect on structural and optical properties of heavily doped phosphorus polycrystalline silicon films
- Effect of MW-ECR plasma hydrogenation on polysilicon films based solar cells
- Effective hydrogenation and surface damage induced by MW-ECR plasma of fine-grained polycrystalline silicon
- Electrical properties after thermal oxidation, of B-LPCVD polysilicon films
- Calculation of a laser cavity with annular configuration
- Second-oxidation properties of thin polysilicon films grown by LPCVD and heavily in situ boron-doped
مجلات النشر
- Applied Physics A × 3
- Journal of Materials Science Materials in Electronics × 2
- Materials Science-Poland × 2
- International Journal of Hydrogen Energy × 1
- Proceedings of the World Congress on Electrical Engineering and Computer Systems and Science × 1
- International Conference on Applied Electronics × 1
المنشورات حسب السنة
- 20231
- 20201
- 20191
- 20182
- 20171
- 20161
- 20132
- 20121
- 20111
- 20102
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : University Frères Mentouri Constantine 1 · Centre National de la Recherche Scientifique · University of Bouira · University Yahia Fares of Medea
بلدان المؤلفين المشاركين : فرنسا
المؤلفون المشاركون
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.