الرئيسية › دليل الباحثين › Maher Ezzedini
Maher Ezzedini
الانتماء : University of Monastir
- 9منشورات (انتماء تونسي)
- 9مجموع المنشورات
- 63الاستشهادات
- 5مؤشر h
الملف البحثي
لدى Maher Ezzedini 9 منشور(ات) مفهرسة (2012–2018). تُنشر أعماله أساسًا في «Semiconductor Science and Technology»، «Nanoscale Research Letters» و«Journal of Materials Science Materials in Electronics». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Detecting Spatially Localized Exciton in Self-Organized InAs/InGaAs Quantum Dot Superlattices: a Way to Improve the Photovoltaic Efficiency» (2017)، وقد استُشهد به 18 مرة. 5 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في السعودية، اليمن، مصر.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Semiconductor materials and interfaces
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- solar cell performance optimization
- Advanced Semiconductor Detectors and Materials
- Silicon and Solar Cell Technologies
المنشورات (9)
- Comprehensive growth and characterization study on highly n-doped InGaAs as a contact layer for quantum cascade laser applications
- Detecting Spatially Localized Exciton in Self-Organized InAs/InGaAs Quantum Dot Superlattices: a Way to Improve the Photovoltaic Efficiency
- Comprehensive study of the structural, optical and electrical properties of InAlAs: Mg films lattice matched to InP grown by MOVPE
- Magnesium doping in InAlAs and InGaAs/Mg films lattice-matched to InP grown by MOVPE
- Spectroscopic ellipsometry and electrical characterizations of InGaAs:Mg thin films lattice matched to InP
- Staggered band gap n+In0.5Ga0.5As/p+GaAs0.5Sb0.5 Esaki diode investigations for TFET device predictions
- Comprehensive study of Cp 2 Mg p-type doping of InP with MOVPE growth technique
- Relationship between the structural and electronic properties of n-GaAs layer grown on rough Si substrate by molecular beam epitaxy
- Impact of rough silicon buffer layer on electronic quality of GaAs grown on Si substrate
مجلات النشر
- Semiconductor Science and Technology × 1
- Nanoscale Research Letters × 1
- Journal of Materials Science Materials in Electronics × 1
- Journal of Nanoparticle Research × 1
- The European Physical Journal Plus × 1
- Journal of Crystal Growth × 1
المنشورات حسب السنة
- 20181
- 20173
- 20161
- 20152
- 20131
- 20121
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : University of Sousse · King Abdulaziz University · Tunis University · University of Jeddah · Tunis El Manar University
بلدان المؤلفين المشاركين : السعودية · اليمن · مصر
المؤلفون المشاركون
- Larbi Sfaxi
- H. Mâaref
- Ridha Mghaieth
- Imen Zeydi
- Bilel Azeza
- N.A. ghaieth
- R. Mgaieth
- Z. Zaâboub
- Mohamed Bouzidi
- F. Hassen
- A. Rebey
- F. Saidi
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.