الرئيسية › دليل الباحثين › Hocine Ait-Kaci
Hocine Ait-Kaci
حسين آيت قاسي(كتابة آلية)
الانتماء : Université des Sciences et de la Technologie d'Oran Mohamed Boudiaf
- 23منشورات (انتماء جزائري)
- 53مجموع المنشورات
- 367الاستشهادات
- 10مؤشر h
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Semiconductor materials and interfaces
- Advanced Semiconductor Detectors and Materials
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Thin-Film Transistor Technologies
المنشورات (23)
- Low-temperature carrier transport and thermophotovoltaic performance of GaSb p–n homojunction
- A Novel Analytical Approach to the Solar Cell Junction Physical Parameters Identification
- Role of metallic contacts and defects on performances of an antimonide based thermo-photovoltaic cell: A numerical analysis
- Energy band offsets and charge transport process in an InAsSb based nBn structure: A numerical simulation
- The benefit of using p-a-SiOxCy:H as double window layers in hydrogenated amorphous silicon solar cells: Correlation of simulation and experiment
- Experimental Method to Quantify the Leakage Currents of Solar Cells from Current Density-Voltage Characteristics
- Comparison of nanocrystalline silicon and nanocrystalline silicon carbide window layers
- Window Layer Thickness Effect on Amorphous Silicon Oxide Solar Cell Performances
- N Type Microcrystalline Silicon Oxide Layer Effect in P-I-N Ultra-Thin Film Solar Cell
- Simulation study of an all p-i-n amorphous silicon oxide solar cell
- Analysis of the GaSb-p+/GaSb-p/GaSb-n+/GaSb-n structure performances at room temperature, for thermo-photovoltaic applications
- The Improvement of Tandem a-Si:H/µc-Si:H Solar Cells Perfomance by Optimized the Front Contact Barrier Height
- A New Technique for the Evaluation of the Parameters of GaAlAsSb(p)/GaAlAsSb(n)/InAsSb Double Interface from Current-Voltage Curve Analysis
- Energy band diagram and energy band offsets of Ga 0.6 Al 0.4 As 0.034 Sb 0.966 (p)/Ga 0.6 Al 0.4 As 0.034 Sb 0.966 (n)/InAs 0.9 Sb 0.1 double interface determined by capacitance-voltage measurements
- Back reflection and temperature effects on n-i-p-p+ amorphous and nanocrystalline silicon based solar cells performances
- A numerical Simulation of the Effect of Buffer Layer Band Gap on the Performances of nc-Si : H Based Solar Cells
- ITO/p+nc-Si:H contact barrier effects on n-i-p′-p silicon solar cell performances
- Numerical simulation of barrier height effect on output parameters, for a a-Si:H/nc-Si:H based solar cell
- Effect of incorporating p-type hydrogenated nanocrystalline silicon buffer layer on amorphous silicon n–i–p solar cell performances
- Carrier Concentration Control of GaSb/GaInAsSb System
- Current-Voltage Characteristic and Schottky Barrier Height of the GaAlAsSb(p)/GaSb(n+) Heterostructure
- Band Discontinuities of Perfectly Lattice-Matched GaSb(n)/GaAlAsSb(p)/GaSb(p) Double Heterojunction
- High sensitivity 2.5 μm photodiodes with metastable GaInAsSb absorbing layer
المؤلفون المشاركون
- Abbas Belfar
- Mohamed Mebarki
- Wafa Hadj Kouider
- Arbia Cheriet
- M. Belmekki
- K. Mahi
- F.Z. Meharrar
- Imen Aouad
- D. Boukredimi
- Lina Mardhi
- Tarik Kadi
- B. Messani
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.