الرئيسية › دليل الباحثين › J. Dazord

J. Dazord

الانتماء : Lyon 1 Université · Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces

• 2منشورات (انتماء فرنسي)
• 77مجموع المنشورات
• 544الاستشهادات
• 12مؤشر h

OpenAlex

الملف البحثي

لدى J. Dazord 2 منشور(ات) مفهرسة (1999–2004). تُنشر أعماله أساسًا في «Applied Physics A» و«Microelectronics Journal». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Tuning vertically stacked InAs/GaAs quantum dot properties under spacer thickness effects for 1.3 μm emission» (2004)، وقد استُشهد به 23 مرة. شارك في تأليف أعماله 3 باحثًا على الأقل.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

• Semiconductor materials and interfaces
• Silicon Carbide Semiconductor Technologies
• Semiconductor Quantum Structures and Devices
• GaN-based semiconductor devices and materials
• Advanced ceramic materials synthesis

المنشورات (2)

• Tuning vertically stacked InAs/GaAs quantum dot properties under spacer thickness effects for 1.3 μm emission
  2004 · Applied Physics A · استُشهد به 23 مرة
• Initial stages of InP/GaP (100) and (111)A,B grown by metal organic chemical vapor deposition
  1999 · Microelectronics Journal · استُشهد به 3 مرة

مجلات النشر

• Applied Physics A × 1
• Microelectronics Journal × 1

المنشورات حسب السنة

• 20041
• 19991

التعاون العلمي

المؤسسات الشريكة : Centre National de la Recherche Scientifique

المؤلفون المشاركون

• J. Davenas
• Olivier Marty
• Y. Monteil

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).