الرئيسية › دليل الباحثين › M. Mostefaoui

M. Mostefaoui

الانتماء : École Supérieure d’Agriculture Saharienne d’Adrar

• 1منشورات (انتماء جزائري)
• 1مجموع المنشورات
• 4الاستشهادات
• 1مؤشر h

OpenAlex

الملف البحثي

لدى M. Mostefaoui 1 منشور(ات) مفهرسة (2025). تُنشر أعماله أساسًا في «Journal of Ovonic Research». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Study of the effect of the gate’s length on the electrical quality of AlGaN/GaN heterostructures based HEMTs» (2025)، وقد استُشهد به 4 مرة. شارك في تأليف أعماله 4 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في فرنسا.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

• GaN-based semiconductor devices and materials
• Silicon Carbide Semiconductor Technologies
• Semiconductor materials and interfaces

المنشورات (1)

• Study of the effect of the gate’s length on the electrical quality of AlGaN/GaN heterostructures based HEMTs
  2025 · Journal of Ovonic Research · استُشهد به 4 مرة

التعاون العلمي

المؤسسات الشريكة : Université Djilali de Sidi Bel Abbès · Centre National de la Recherche Scientifique · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon · Ziane Achour University of Djelfa

بلدان المؤلفين المشاركين : فرنسا

المؤلفون المشاركون

• A. Rabehi
• Arslane Hatem Kacha
• Kheira Ameur
• Halima Mazari

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).