الرئيسية › دليل الباحثين › E. Tounié

E. Tounié

الانتماء : Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications

• 1منشورات (انتماء فرنسي)
• 1مجموع المنشورات
• 8الاستشهادات
• 1مؤشر h

OpenAlex

الملف البحثي

لدى E. Tounié 1 منشور(ات) مفهرسة (2004). تُنشر أعماله أساسًا في «Solid State Communications». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Band gap energy, nitrogen localized states and GaN-like phonon in heavily doped GaAsN grown by molecular beam epitaxy» (2004)، وقد استُشهد به 8 مرة.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

• Semiconductor Quantum Structures and Devices
• GaN-based semiconductor devices and materials
• solar cell performance optimization

المنشورات (1)

• Band gap energy, nitrogen localized states and GaN-like phonon in heavily doped GaAsN grown by molecular beam epitaxy
  2004 · Solid State Communications · استُشهد به 8 مرة

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).