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E. Tounié

Affiliation : Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications

• 1Publications (affiliation française)
• 1Publications au total
• 8Citations
• 1Indice h

OpenAlex

Profil de recherche

E. Tounié compte 1 publication référencée (2004). Ses travaux paraissent dans « Solid State Communications ». Son article le plus cité, « Band gap energy, nitrogen localized states and GaN-like phonon in heavily doped GaAsN grown by molecular beam epitaxy » (2004), a été cité 8 fois.

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Domaines de recherche

• Semiconductor Quantum Structures and Devices
• GaN-based semiconductor devices and materials
• solar cell performance optimization

Publications (1)

• Band gap energy, nitrogen localized states and GaN-like phonon in heavily doped GaAsN grown by molecular beam epitaxy
  2004 · Solid State Communications · cité 8 fois

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).