الرئيسية › دليل الباحثين › O. Khaldi
O. Khaldi
الانتماء : Tunis El Manar University · Tunis University
- 23منشورات (انتماء تونسي)
- 28مجموع المنشورات
- 341الاستشهادات
- 11مؤشر h
الملف البحثي
لدى O. Khaldi 23 منشور(ات) مفهرسة (2013–2025). تُنشر أعماله أساسًا في «Applied Physics A»، «Nanomaterials» و«Ceramics International». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Optimizing PCM Integrated Wall and Roof for Energy Saving in Building under Various Climatic Conditions of Mediterranean Region» (2023)، وقد استُشهد به 64 مرة. 12 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في فرنسا، البرتغال.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Semiconductor materials and devices
- Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
- ZnO doping and properties
- Ferroelectric and Piezoelectric Materials
- Dielectric properties of ceramics
المنشورات (23)
- Synthesis of Nb-Doped TiO2 Nanoparticles for Photocatalytic Degradation of Ciprofloxacin: A Combined Experimental and DFT Approach
- Experimental and theoretical perspective on band gap modulation in Sr2+ modified BaTiO3 capacitors
- Review of: "Negative Capacitance Effect at the Interface Between Si Wafers with Undulating Surfaces"
- Effect of Co Doping on the Physical Properties and Organic Pollutant Photodegradation Efficiency of ZnO Nanoparticles for Environmental Applications
- Influence of (Co+Al) co−doping on structural, micro-structural, optical and electrical properties of nanostructured zinc oxide
- Relationship Between Electrode Material, Valence Band Offset, and Nonlinearity in the Resistive Switching Behavior of Au/HfO2/M (M = TiN, W, Pt, or AlCu) Metal–Insulator–Metal Devices: Correlation Between Experimental and DFT Calculations
- DFT investigation on the design and optimization of icosahedral and octahedral beryllium nitride (Be3N2)x fullerene analogue. A comparative study with isosymmetry carbon fullerene
- Physical properties and mechanical stability of AlCu:XO2 (X=Hf, Zr) alloys from density functional theory (DFT): Prediction and analysis for photocatalysis and electronic devices applications
- Computational Modeling of Electronic, Valence Band Offset, and Thermoelectric Transport Properties of SrTiO3/LaCrO3 Heterostructures
- Optimizing PCM Integrated Wall and Roof for Energy Saving in Building under Various Climatic Conditions of Mediterranean Region
- Correlations between structural, dielectric properties, and ab initio calculations in Co-doped ZnO nanoparticles: effect of Co concentration
- Dielectric response of high- κ hafnium oxide under finite electric field: nonlinearities from ab initio and experimental points of view
- Theoretical and experimental investigation of the electronic, optical, electric, and elastic properties of Zn-doped anatase TiO2 for photocatalytic applications
- High-performance screen-printed Au/Ba0.85Sr0.15TiO3/Pt capacitors for tunable devices
- Understanding the physical origin of negative capacitance (NC) in High-k oxides: Experimental and ab-initio approach
- Correlations between first-principles calculations and electric properties of HfO2:Al2O3 alloys for metal–insulator–metal (MIM) capacitor applications
- AC and DC bias effect on capacitance–voltage nonlinearities in Au/HfO2/M (M = Pt, TiN, W, and AlCu) MIM capacitors: effect of the bottom electrode material
- Dielectric relaxations in Ba0.85Sr0.15TiO3 thin films deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by sol–gel method
- Reliability of HfO 2 metal–insulator–metal capacitors under AC stress
- Investigation of electrical properties of HfO2 metal–insulator–metal (MIM) devices
- Differences between direct current and alternating current capacitance nonlinearities in high-k dielectrics and their relation to hopping conduction
- Experimental evaluation of the forming process of virgin HfO2 memory cells by capacitance–voltage measurements
- Change in Admittance of HfO2 Metal-Insulator-Metal (MIM) Capacitors after dc Bias Stress
مجلات النشر
- Applied Physics A × 3
- Nanomaterials × 2
- Ceramics International × 2
- Journal of Electronic Materials × 2
- Journal of Applied Physics × 2
- Journal of Materials Science Materials in Electronics × 2
المنشورات حسب السنة
- 20253
- 20246
- 20233
- 20213
- 20202
- 20162
- 20143
- 20131
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : University of Gafsa · University of Sfax · Faculty of Sciences of Sfax · Laboratoire des Technologies de la Microélectronique · Centre National de la Recherche Scientifique
بلدان المؤلفين المشاركين : فرنسا · البرتغال
المؤلفون المشاركون
- F. Jomni
- T. Larbi
- Zohra Benzarti
- Rached Ben Younès
- B. Yangui
- Hanen Ferhi
- Mabrouk Zemzemi
- Y. Zidi
- Ania Selmi
- M. Kassmi
- Hajer Saadi
- A. Majouri
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.