الرئيسية › دليل الباحثين › Olfa Nasr

Olfa Nasr

الانتماء : University of Monastir

• 7منشورات (انتماء تونسي)
• 10مجموع المنشورات
• 151الاستشهادات
• 7مؤشر h

ORCIDOpenAlex

الملف البحثي

لدى Olfa Nasr 7 منشور(ات) مفهرسة (2013–2020). تُنشر أعماله أساسًا في «Journal of Luminescence»، «Journal of Alloys and Compounds» و«Sustainability». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Investigation of the InAs/GaAs Quantum Dots’ Size: Dependence on the Strain Reducing Layer’s Position» (2015)، وقد استُشهد به 32 مرة. 2 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 8 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في السعودية، كندا، فرنسا، مصر.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

• Semiconductor Quantum Structures and Devices
• Quantum Dots Synthesis And Properties
• Semiconductor Lasers and Optical Devices
• solar cell performance optimization
• Plant Growth Enhancement Techniques

المنشورات (7)

• Salinity Stress Mitigation Using Encapsulated Biofertilizers for Sustainable Agriculture
  2020 · Sustainability · استُشهد به 23 مرة
• Temperature dependence of optical properties of InAs/InP quantum rod-nanowires grown on Si substrate
  2020 · Journal of Luminescence · استُشهد به 4 مرة
• Carrier dynamics of strain-engineered InAs quantum dots with (In)GaAs surrounding material
  2017 · Journal of Optics · استُشهد به 12 مرة
• Investigation of the InAs/GaAs Quantum Dots’ Size: Dependence on the Strain Reducing Layer’s Position
  2015 · Materials · استُشهد به 32 مرة
• Thermally activated inter-dots carriers' transfer in InAs QDs with InGaAs underlying layer: Origin and dependence on the post-growth intermixing
  2015 · Journal of Alloys and Compounds · استُشهد به 13 مرة
• Postgrowth intermixing of strain engineered InAs/GaAs quantum dots
  2014 · Journal of Alloys and Compounds · استُشهد به 6 مرة
• Comprehensive investigation of optical and electronic properties of tunable InAs QDs optically active at O-band telecommunication window with (In)GaAs surrounding material
  2013 · Journal of Luminescence · استُشهد به 26 مرة

مجلات النشر

• Journal of Luminescence × 2
• Journal of Alloys and Compounds × 2
• Sustainability × 1
• Journal of Optics × 1
• Materials × 1

المنشورات حسب السنة

• 20202
• 20171
• 20152
• 20141
• 20131

التعاون العلمي

المؤسسات الشريكة : King Faisal University · King Saud University · Northern Border University · Centre National de la Recherche Scientifique · Université de Sherbrooke

بلدان المؤلفين المشاركين : السعودية · كندا · فرنسا · مصر

المؤلفون المشاركون

• Mohamed Helmi Hadj Alouane
• Bouraoui Ilahi
• Larbi Sfaxi
• H. Mâaref
• Hammadi Khmissi
• F. Hassen
• M. Baïra
• Manel Souaf

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).