الرئيسية › دليل الباحثين › Vincent Aimez
Vincent Aimez
الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · Université de Sherbrooke · Institut interdisciplinaire d'innovation technologique
- 16منشورات (انتماء كندي)
- 374مجموع المنشورات
- 7751الاستشهادات
- 31مؤشر h
الملف البحثي
لدى Vincent Aimez 16 منشور(ات) مفهرسة (2004–2024). تُنشر أعماله أساسًا في «Journal of Applied Physics»، «Nanotechnology» و«Results in Materials». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing» (2006)، وقد استُشهد به 23 مرة. 2 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في فرنسا، تونس، المغرب.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- solar cell performance optimization
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Photonic and Optical Devices
- Semiconductor Lasers and Optical Devices
المنشورات (16)
- Impact of PECVD deposition on dielectric charge and passivation for n-GaN/SiO x interfaces
- Study of electrical properties of Al/Si3N4/n-GaAs MIS capacitors deposited at low and high frequency PECVD
- Direct exchange between silicon nanocrystals and tunnel oxide traps under illumination on single electron photodetector
- Thermally activated inter-dots carriers' transfer in InAs QDs with InGaAs underlying layer: Origin and dependence on the post-growth intermixing
- Traps contribution on detection time of single electron photodetector (Photo-SET)
- Carriers' localization and thermal redistribution in post growth voluntarily tuned quantum dashes' size/composition distribution
- Effect of illumination on the electron transport mechanisms in Silicon nanocrystal-based nanopixels
- Temperature Dependent Photoluminescence Properties of InAs/InP Quantum Dashes Subjected to Low Energy Phosphorous Ion Implantation and Subsequent Annealing
- Impact of ion-implantation-induced band gap engineering on the temperature-dependent photoluminescence properties of InAs/InP quantum dashes
- Persistence of In/Ga intermixing beyond the emission energy blueshift saturation of proton-implanted InAs/GaAs quantum dots
- Impact of ion-implantation-induced band gap engineering on the temperature-dependent photoluminescence properties of InAs/InP quantum dashes
- Intermixing of InAs/GaAs quantum dots by proton implantation and rapid thermal annealing
- Inhomogeneous broadening and alloy intermixing in low proton dose implanted InAs/GaAs self-assembled quantum dots
- Optical investigation of phosphorous-ion-implantation induced InAs/GaAs quantum dots' intermixing
- Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing
- Fabrication of (NH4)2S passivated GaAs metal-insulator-semiconductor devices using low-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition
مجلات النشر
- Journal of Applied Physics × 2
- Nanotechnology × 2
- Results in Materials × 1
- The European Physical Journal Applied Physics × 1
- Semiconductors × 1
- Journal of Alloys and Compounds × 1
المنشورات حسب السنة
- 20241
- 20221
- 20161
- 20151
- 20141
- 20132
- 20111
- 20103
- 20091
- 20082
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes · Institut des Nanotechnologies de Lyon · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon · Université de Lyon · Laboratoire des Technologies de la Microélectronique
بلدان المؤلفين المشاركين : فرنسا · تونس · المغرب
المؤلفون المشاركون
- Denis Morris
- Bassem Salem
- Abdelatif Jaouad
- Olivier Richard
- Hassan Maher
- Bouraoui Ilahi
- Dominique Drouin
- Ali Soltani
- Hasna Mziouek
- A. Souifi
- Bernard Paquette
- Cetin Aktik
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.