الرئيسية › دليل الباحثين › Denis Morris

Denis Morris

الانتماء : Université de Sherbrooke

• 11منشورات (انتماء كندي)
• 169مجموع المنشورات
• 2438الاستشهادات
• 23مؤشر h

ORCIDOpenAlex

الملف البحثي

لدى Denis Morris 11 منشور(ات) مفهرسة (2006–2020). تُنشر أعماله أساسًا في «Journal of Applied Physics»، «Nanotechnology» و«Nanomaterials». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing» (2006)، وقد استُشهد به 23 مرة. شارك في تأليف أعماله 5 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في فرنسا، تونس.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

• Semiconductor Quantum Structures and Devices
• Terahertz technology and applications
• Quantum Dots Synthesis And Properties
• Quantum and electron transport phenomena
• solar cell performance optimization

المنشورات (11)

• O-Band Emitting InAs Quantum Dots Grown by MOCVD on a 300 mm Ge-Buffered Si (001) Substrate
  2020 · Nanomaterials · استُشهد به 7 مرة
• Thermally activated inter-dots carriers' transfer in InAs QDs with InGaAs underlying layer: Origin and dependence on the post-growth intermixing
  2015 · Journal of Alloys and Compounds · استُشهد به 13 مرة
• Carriers' localization and thermal redistribution in post growth voluntarily tuned quantum dashes' size/composition distribution
  2013 · Journal of Luminescence · استُشهد به 7 مرة
• Temperature Dependent Photoluminescence Properties of InAs/InP Quantum Dashes Subjected to Low Energy Phosphorous Ion Implantation and Subsequent Annealing
  2011 · Journal of Nanoscience and Nanotechnology · استُشهد به 5 مرة
• Impact of ion-implantation-induced band gap engineering on the temperature-dependent photoluminescence properties of InAs/InP quantum dashes
  2010 · HAL · استُشهد به 5 مرة
• Persistence of In/Ga intermixing beyond the emission energy blueshift saturation of proton-implanted InAs/GaAs quantum dots
  2010 · Journal of Applied Physics · استُشهد به 2 مرة
• Impact of ion-implantation-induced band gap engineering on the temperature-dependent photoluminescence properties of InAs/InP quantum dashes
  2010 · Journal of Applied Physics
• Intermixing of InAs/GaAs quantum dots by proton implantation and rapid thermal annealing
  2009 · Materials Science in Semiconductor Processing · استُشهد به 6 مرة
• Inhomogeneous broadening and alloy intermixing in low proton dose implanted InAs/GaAs self-assembled quantum dots
  2008 · Nanotechnology · استُشهد به 4 مرة
• Optical investigation of phosphorous-ion-implantation induced InAs/GaAs quantum dots' intermixing
  2008 · Physics Letters A · استُشهد به 1 مرة
• Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing
  2006 · Nanotechnology · استُشهد به 23 مرة

مجلات النشر

• Journal of Applied Physics × 2
• Nanotechnology × 2
• Nanomaterials × 1
• Journal of Alloys and Compounds × 1
• Journal of Luminescence × 1
• Journal of Nanoscience and Nanotechnology × 1

المنشورات حسب السنة

• 20201
• 20151
• 20131
• 20111
• 20103
• 20091
• 20082
• 20061

التعاون العلمي

المؤسسات الشريكة : Centre National de la Recherche Scientifique · Institut interdisciplinaire d'innovation technologique · Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes · Université de Lyon · Institut des Nanotechnologies de Lyon

بلدان المؤلفين المشاركين : فرنسا · تونس

المؤلفون المشاركون

• Vincent Aimez
• Bassem Salem
• Bouraoui Ilahi
• Bernard Paquette
• Richard Arès

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).