الرئيسية › دليل الباحثين › Samir Labiod
Samir Labiod
الانتماء : University Frères Mentouri Constantine 1 · University of Skikda
- 20منشورات (انتماء جزائري)
- 27مجموع المنشورات
- 58الاستشهادات
- 4مؤشر h
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Electromagnetic Simulation and Numerical Methods
- Analog and Mixed-Signal Circuit Design
- Low-power high-performance VLSI design
- Semiconductor materials and devices
المنشورات (20)
- Experimental and numerical modeling study of iron-doped barium titanate (Fe-BaTiO3) perovskite nanostructures for supercapacitor applications
- Combined Optical and Quantum Simulation of a Resonant Tunneling Diode Photodetector with an Integrated Microlens
- Temperature Effect Assessment on the Gate-All-Around Junctionless FET for Bio-Sensing Applications
- Temperature Effect Assessment on the Gate-All-Around Junctionless FET for Bio-Sensing Applications
- Effect of substrate temperature on physical properties of Co doped SnS2 thin films deposited by ultrasonic spray pyrolysis
- Effect of Deposition Time on the Properties of CuxZnyS Thin Films Synthesized by Ultrasonic Spray Pyrolysis
- NOISE THEORITICAL INVESTIGATIONS FOR TRI-DIMMENSIONAL NMR CIRCUIT: TOWARDS THE NANOSCALE
- Analytical Compact Model of Nanowire Junctionless Gate-All-Around MOSFET Implemented in Verilog-A for Circuit Simulation
- Mixed-Mode Optical/Electric Simulation of Silicon Lateral PIN Photodiode Using FDTD Method
- Numerical modeling of electrical/optical combination for the simulation of PIN photodiode
- Analytical Drain-Current Model and Surface-Potential Calculation for Junctionless Cylindrical Surrounding-Gate MOSFETs
- Analytical Drain-Current Model and Surface-Potential Calculation for Junctionless Cylindrical Surrounding-Gate MOSFETs
- An accurate numerical time domain model for nanometric Silicon PIN
- Towards 3D Integration of Monolithic X or Γ Ray Detectors Under Possible Electromagnetic Perturbations or Malfunctions
- Mixed-Mode Device Modeling of DGMOS RF Oscillators
- Numerical modeling of MOS transistor with interconnections using lumped element-FDTD method
- Numerical modeling of MOS transistor using implicit finite different-time domain method
- Compact modeling of long channel Double Gate MOSFET transistor
- Combined Electromagnetic and Drift Diffusion Models for Microwave Semiconductor Device
- Insights into Three-Dimensional Radiofrequency Circuits Connections
المؤلفون المشاركون
- Saϊda Latreche
- Billel Smaani
- Mohamed Salah Benlatreche
- Mourad Bella
- Boudjemaa Mehimmedetsi
- Kenza Kamli
- Fares Nafa
- Christian Gontrand
- Zakaria Hadef
- Billel Smali
- Ouarda Kamli
- S. Hadef
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.