الرئيسية › دليل الباحثين › Éric Frayssinet

Éric Frayssinet

الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · Université Côte d'Azur · Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications

• 3منشورات (انتماء فرنسي)
• 227مجموع المنشورات
• 2376الاستشهادات
• 27مؤشر h

ORCIDOpenAlex

مجالات البحث

• GaN-based semiconductor devices and materials
• Silicon Carbide Semiconductor Technologies
• Acoustic Wave Resonator Technologies
• Semiconductor materials and interfaces
• Semiconductor Quantum Structures and Devices

المنشورات (3)

• Trap states analysis in AlGaN/AlN/GaN and InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors
  2017 · Current Applied Physics · استُشهد به 23 مرة
• Influence of metal-organic vapor phase epitaxy parameters and Si(111) substrate type on the properties of AlGaN/GaN HEMTs with thin simple buffer
  2016 · physica status solidi (a) · استُشهد به 9 مرة
• Two-dimensional dopant profiling of gallium nitride p–n junctions by scanning capacitance microscopy
  2016 · Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms · استُشهد به 3 مرة

مجلات النشر

• Current Applied Physics × 1
• physica status solidi (a) × 1
• Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms × 1

المنشورات حسب السنة

• 20171
• 20162

التعاون العلمي

المؤسسات الشريكة : Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie · STMicroelectronics (France) · Université de Tours · GREMAN, Matériaux, Microélectronique, Acoustique, Nanotechnologies · University of Monastir

بلدان المؤلفين المشاركين : تونس · المغرب

المؤلفون المشاركون

• Yvon Cordier
• Soumaya Latrach
• Sébastien Chenot
• Anne Elisabeth Bazin
• Paul Leclaire
• M. Némoz
• Daniel Alquier
• Mohamed Lamhamdi
• F. Cayrel
• Jad Mohdad
• Nicolas Defrance
• Arnaud Yvon

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).