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Éric Frayssinet

Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Université Côte d'Azur · Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications

  • 3Publications (affiliation française)
  • 227Publications au total
  • 2376Citations
  • 27Indice h

Profil de recherche

Éric Frayssinet compte 3 publications référencées (2016–2017). Ses travaux paraissent principalement dans « Current Applied Physics », « physica status solidi (a) » et « Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms ». Son article le plus cité, « Trap states analysis in AlGaN/AlN/GaN and InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors » (2017), a été cité 23 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de Tunisie, Maroc.

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Domaines de recherche

  • GaN-based semiconductor devices and materials
  • Silicon Carbide Semiconductor Technologies
  • Acoustic Wave Resonator Technologies
  • Semiconductor materials and interfaces
  • Semiconductor Quantum Structures and Devices

Publications (3)

Revues de publication

  • Current Applied Physics × 1
  • physica status solidi (a) × 1
  • Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms × 1

Publications par année

  • 20171
  • 20162

Collaborations

Établissements partenaires : Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie · STMicroelectronics (France) · Université de Tours · GREMAN, Matériaux, Microélectronique, Acoustique, Nanotechnologies · University of Monastir

Pays des co-auteurs : Tunisie · Maroc

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).

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