C. Jaussaud

الانتماء : Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

1منشورات (انتماء فرنسي)
93مجموع المنشورات
1953الاستشهادات
26مؤشر h

الملف البحثي

لدى C. Jaussaud 1 منشور(ات) مفهرسة (1996). تُنشر أعماله أساسًا في «Ion Beam Modification of Materials». شارك في تأليف أعماله 6 باحثًا على الأقل.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

Semiconductor materials and interfaces
Semiconductor materials and devices
Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Silicon and Solar Cell Technologies
Ion-surface interactions and analysis

المنشورات (1)

Correlation between End-Of-range defect densities and electrical properties of p+/n junctions formed by B implantation into Ge-preamorphised Si substrates
1996 · Ion Beam Modification of Materials

التعاون العلمي

المؤسسات الشريكة : Centre National de la Recherche Scientifique · Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes · Centre d’Élaboration de Matériaux et d’Études Structurales · CEA Grenoble · Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information

المؤلفون المشاركون

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).