الرئيسية › دليل الباحثين › A. Martínez

A. Martínez

الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes · Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse

• 7منشورات (انتماء فرنسي)
• 115مجموع المنشورات
• 1618الاستشهادات
• 25مؤشر h

OpenAlex

الملف البحثي

لدى A. Martínez 7 منشور(ات) مفهرسة (1996–2011). تُنشر أعماله أساسًا في «PRSM»، «Ion Beam Modification of Materials» و«The European Physical Journal Applied Physics». أكثر مقالاته استشهادًا هو «The effect of the boron doping level on the thermal behavior of end-of-range defects in silicon» (1997)، وقد استُشهد به 33 مرة. 2 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

• Semiconductor materials and devices
• Semiconductor materials and interfaces
• Silicon and Solar Cell Technologies
• Analytical Chemistry and Sensors
• Gas Sensing Nanomaterials and Sensors

المنشورات (7)

• Symbolization of the electric diagram of the marketed solar panels in the Orcad- Pspice environment
  2011 · PRSM · استُشهد به 14 مرة
• Ionizing Radiation Effect on the Electrical Properties of Metal/ultra-thin Oxide/Semiconductor Structures
  2011 · PRSM
• Instability analysis of charges trapped in the oxide of metal-ultra thin oxide-semiconductor structures
  2005 · The European Physical Journal Applied Physics · استُشهد به 2 مرة
• The effect of the boron doping level on the thermal behavior of end-of-range defects in silicon
  1997 · Applied Physics Letters · استُشهد به 33 مرة
• Electrical characteristics of thin silica layers nitrided by LPCVD nitrogen doped silicon
  1997 · Solid-State Electronics · استُشهد به 6 مرة
• Correlation between End-Of-range defect densities and electrical properties of p+/n junctions formed by B implantation into Ge-preamorphised Si substrates
  1996 · Ion Beam Modification of Materials
• The effect of boron doping on the thermal behaviour of EOR defects in Silicon
  1996 · Ion Beam Modification of Materials

مجلات النشر

• PRSM × 2
• Ion Beam Modification of Materials × 2
• The European Physical Journal Applied Physics × 1
• Applied Physics Letters × 1
• Solid-State Electronics × 1

المنشورات حسب السنة

• 20112
• 20051
• 19972
• 19962

التعاون العلمي

المؤسسات الشريكة : Centre d’Élaboration de Matériaux et d’Études Structurales · Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives · CEA Grenoble · Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information · Orange (France)

المؤلفون المشاركون

• F. Olivié
• Daniel Alquier
• Gerard Sarrabayrouse
• Caroline Bonafos
• Christian Bergaud
• D. Mathiot
• A. Claverie
• Pierre Temple‐Boyer
• C. Jaussaud
• A. Qaverie
• M. Minondo
• E. Scheid

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).