الرئيسية › دليل الباحثين › P. Lorenzini

P. Lorenzini

الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications

• 2منشورات (انتماء فرنسي)
• 89مجموع المنشورات
• 1723الاستشهادات
• 21مؤشر h

OpenAlex

مجالات البحث

• GaN-based semiconductor devices and materials
• Silicon Carbide Semiconductor Technologies
• Acoustic Wave Resonator Technologies
• Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
• Semiconductor materials and interfaces

المنشورات (2)

• Atomic structure of pyramidal defects in Mg-doped GaN
  2003 · Physical review. B, Condensed matter · استُشهد به 92 مرة
• Alternative N precursors and Mg doped GaN grown by MOVPE
  1996 · MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research · استُشهد به 15 مرة

مجلات النشر

• Physical review. B, Condensed matter × 1
• MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research × 1

المنشورات حسب السنة

• 20031
• 19961

المؤلفون المشاركون

• Pierre J. L. Gibart
• J. Massies
• M. Leroux
• Bernard Beaumont
• S. Dalmasso
• Philippe Vennéguès
• P. de Mierry
• B. Damilano
• M. Vaille

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).