الرئيسية › دليل الباحثين › M. Vaille

M. Vaille

الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications

2منشورات (انتماء فرنسي)
28مجموع المنشورات
988الاستشهادات
15مؤشر h

OpenAlex

الملف البحثي

لدى M. Vaille 2 منشور(ات) مفهرسة (1996–1997). تُنشر أعماله أساسًا في «Journal of Crystal Growth» و«MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research». أكثر مقالاته استشهادًا هو «High quality GaN grown by MOVPE» (1997)، وقد استُشهد به 76 مرة. شارك في تأليف أعماله 3 باحثًا على الأقل.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

GaN-based semiconductor devices and materials
Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Acoustic Wave Resonator Technologies
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Semiconductor materials and devices

المنشورات (2)

High quality GaN grown by MOVPE
1997 · Journal of Crystal Growth · استُشهد به 76 مرة
Alternative N precursors and Mg doped GaN grown by MOVPE
1996 · MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research · استُشهد به 15 مرة

مجلات النشر

Journal of Crystal Growth × 1
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research × 1

المنشورات حسب السنة

19971
19961

المؤلفون المشاركون

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).