الرئيسية › دليل الباحثين › J.P. Chante
J.P. Chante
الانتماء : Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
- 1منشورات (انتماء فرنسي)
- 179مجموع المنشورات
- 1058الاستشهادات
- 20مؤشر h
الملف البحثي
لدى J.P. Chante 1 منشور(ات) مفهرسة (2000). تُنشر أعماله أساسًا في «IEEE Transactions on Power Electronics». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Electrothermal modeling of IGBTs: application to short-circuit conditions» (2000)، وقد استُشهد به 53 مرة. شارك في تأليف أعماله 4 باحثًا على الأقل.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Semiconductor materials and interfaces
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Semiconductor materials and devices
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
المنشورات (1)
المؤلفون المشاركون
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.