الرئيسية › دليل الباحثين › N.E. Bourzgui
N.E. Bourzgui
الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie
- 7منشورات (انتماء فرنسي)
- 76مجموع المنشورات
- 233الاستشهادات
- 10مؤشر h
الملف البحثي
لدى N.E. Bourzgui 7 منشور(ات) مفهرسة (2014–2022). تُنشر أعماله أساسًا في «Applied Physics Letters»، «IEEE Transactions on Electron Devices» و«IEEE Transactions on Nanotechnology». أكثر مقالاته استشهادًا هو «A Parametric Technique for Trap Characterization in AlGaN/GaN HEMTs» (2020)، وقد استُشهد به 23 مرة. 4 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في كندا، المملكة المتحدة، اليابان، الولايات المتحدة.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Microfluidic and Capillary Electrophoresis Applications
- Microwave and Dielectric Measurement Techniques
- Terahertz technology and applications
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Advanced MEMS and NEMS Technologies
المنشورات (7)
- Dual role of 3C-SiC interlayer on DC and RF isolation of GaN/Si-based devices
- A cost-effective technology to improve power performance of nanoribbons GaN HEMTs
- A Parametric Technique for Trap Characterization in AlGaN/GaN HEMTs
- Mechanisms of a Rectifying TiN Gate Contact for AlGaN$/$GaN HEMTs on Silicon Substrate
- Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate
- High performance TiN gate contact on AlGaN/GaN transistor using a mechanically strain induced P-doping
- Dispersion properties and low infrared optical losses in epitaxial AlN on sapphire substrate in the visible and infrared range
مجلات النشر
- Applied Physics Letters × 3
- IEEE Transactions on Electron Devices × 1
- IEEE Transactions on Nanotechnology × 1
- ECS Journal of Solid State Science and Technology × 1
- Journal of Applied Physics × 1
المنشورات حسب السنة
- 20222
- 20202
- 20171
- 20142
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : Liverpool John Moores University · Université de Sherbrooke · Georgia Institute of Technology · Georgia Tech-CNRS Laboratory · Institut interdisciplinaire d'innovation technologique
بلدان المؤلفين المشاركين : كندا · المملكة المتحدة · اليابان · الولايات المتحدة
المؤلفون المشاركون
- Ali Soltani
- Jean-Claude Gerbedoen
- Hassan Maher
- B. Benbakhti
- M. Boucherta
- A. Ougazzaden
- Hassane Ouazzani Chahdi
- J.C. de Jaeger
- Abdelkrim Khediri
- Hassan Ali Barkad
- Gilles Patriarche
- A. El Hadi Khediri
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.