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Macho Anani

Affiliation : Université Djilali de Sidi Bel Abbès

• 17Publications (affiliation algérienne)
• 19Publications au total
• 390Citations
• 8Indice h

ORCIDOpenAlex

Domaines de recherche

• Semiconductor materials and interfaces
• GaN-based semiconductor devices and materials
• Silicon Carbide Semiconductor Technologies
• Silicon and Solar Cell Technologies
• Photocathodes and Microchannel Plates

Publications (17)

• Study of the Surface Photovoltage and Photovoltaic Properties of Au/δ-GaN/n-GaAs Schottky Barrier-Based Photodetectors
  2025 · Physics of the Solid State · cité 4 fois
• Optimizing Al-Doped ZnO Thin Films: Structural, Optical, and Electrical Enhancements for Solar Cells
  2025 · Physics of the Solid State · cité 3 fois
• Temperature and Rain Variability in Southwestern Mediterranean Region, 1980-2022
  2024 · Research Square
• Effect of metallic contacts diffusion on Au/GaAs and Au/GaN/GaAs SBDs electrical quality during their fabrication process
  2021 · Journal of Alloys and Compounds · cité 8 fois
• Optimization of an EYDWA Amplifier Parameters for a Gigabit Passive Optical Network (GPON)
  2020 · Journal of Optical Communications · cité 1 fois
• Fully automatic multisegmentation approach for magnetic resonance imaging brain tumor detection using improved region‐growing and quasi‐Monte Carlo‐expectation maximization algorithm
  2019 · International Journal of Imaging Systems and Technology · cité 7 fois
• Finite Elements Method Coupled with Delaunay Triangulation Method Applied on a Silicon Corner Diode
  2018 · Silicon
• Ni/SiC–6H Schottky Barrier Diode interfacial states characterization related to temperature
  2014 · Journal of Alloys and Compounds · cité 23 fois
• Image recovery from Fourier domain measurements via classification using Bayesian approach and total variation regularization
  2012 · AEU - International Journal of Electronics and Communications · cité 8 fois
• Complex Object Shapes Recognition. Automatic Aid Photointerpretation in a Satellite Image
  2012 · International Journal of Geosciences · cité 2 fois
• Barrier height inhomogeneities in a Ni/SiC-6H Schottky n-type diode
  2008 · Microelectronics Journal · cité 20 fois
• High-grade efficiency III-nitrides semiconductor solar cell
  2008 · Microelectronics Journal · cité 13 fois
• I(V) computational conduction model for a SiC-6H Schottky diode
  2008 · Materials Chemistry and Physics · cité 10 fois
• Model for calculating the refractive index of a III–V semiconductor
  2007 · Computational Materials Science · cité 214 fois
• In Ga1−N refractive index calculations
  2007 · Microelectronics Journal · cité 47 fois
• Calculation of the effective indices of a GaN/In Ga1−N optical guiding structure
  2007 · Microelectronics Journal · cité 1 fois
• A MOS structure temperature characterization
  1997 · Materials Science and Engineering B · cité 2 fois

Revues de publication

• Microelectronics Journal × 4
• Physics of the Solid State × 2
• Journal of Alloys and Compounds × 2
• Research Square × 1
• Journal of Optical Communications × 1
• International Journal of Imaging Systems and Technology × 1

Publications par année

• 20252
• 20241
• 20211
• 20201
• 20191
• 20181
• 20141
• 20122
• 20083
• 20073

Collaborations

Établissements partenaires : Université d'Artois · Centre de Développement des Technologies Avancées · Université de Mostaganem · École Supérieure d’Agriculture Saharienne d’Adrar · Centre National de la Recherche Scientifique

Pays des co-auteurs : France

Co-auteurs

• Boudali Akkal
• Sara Lebid
• Zouaoui Chama
• H. Abid
• Youcef Amar
• Z. Benamara
• Arslane Hatem Kacha
• Ahmed Hichem Yahi
• H. Benmaza
• Zouaoui Bensaad
• Bachir Beneldjemoui
• Abdelkader Abderrahmane

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).