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H. Achour

Affiliation : École Nationale Polytechnique d'Oran

  • 8Publications (affiliation algérienne)
  • 11Publications au total
  • 125Citations
  • 5Indice h

Profil de recherche

H. Achour compte 8 publications référencées (2008–2026). Ses travaux paraissent principalement dans « Physics Procedia », « Russian Journal of Physical Chemistry B » et « Semiconductors ». Son article le plus cité, « First principles study of AlBi » (2008), a été cité 59 fois. 2 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de Italie.

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Domaines de recherche

  • High-pressure geophysics and materials
  • Advanced Chemical Physics Studies
  • Boron and Carbon Nanomaterials Research
  • Semiconductor materials and interfaces
  • GaN-based semiconductor devices and materials

Publications (8)

Revues de publication

  • Physics Procedia × 2
  • Russian Journal of Physical Chemistry B × 1
  • Semiconductors × 1
  • Computational Condensed Matter × 1
  • AIP conference proceedings × 1
  • Solid State Communications × 1

Publications par année

  • 20261
  • 20251
  • 20161
  • 20142
  • 20131
  • 20082

Collaborations

Établissements partenaires : Université des Sciences et de la Technologie d'Oran Mohamed Boudiaf · Ahmed Zabana University - Relizane · The Abdus Salam International Centre for Theoretical Physics (ICTP) · Université Oran 1 Ahmed Ben Bella · Université Mustapha Stambouli de Mascara

Pays des co-auteurs : Italie

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).

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