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M. Kachouane

Affiliation : University of Sciences and Technology Houari Boumediene

2Publications (affiliation algérienne)
2Publications au total
1Citations
1Indice h

Profil de recherche

M. Kachouane compte 2 publications référencées (2002–2003). Ses travaux paraissent dans « IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (NSS/MIC) ». Son article le plus cité, « Channel length impact on radiation-induced threshold voltage shift in N-MOSFET devices at low gamma rays radiation doses » (2003), a été cité 1 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 3 chercheurs.

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Domaines de recherche

Semiconductor materials and devices
Radiation Effects in Electronics
Particle Detector Development and Performance

Publications (2)

Channel length impact on radiation-induced threshold voltage shift in N-MOSFET devices at low gamma rays radiation doses
2003 · IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (NSS/MIC) · cité 1 fois
Electrical characterization of oxide and Si/SiO/sub 2/ interface of irradiated NMOS transistors at low radiation doses
2002 · IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (NSS/MIC)

Publications par année

20031
20021

Collaborations

Établissements partenaires : Centre de Développement des Technologies Avancées

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).