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Y. Lahbib

Affiliation : University of Carthage

1Publications (affiliation tunisienne)
3Publications au total
15Citations
2Indice h

Profil de recherche

Y. Lahbib compte 1 publication référencée (2010). Ses travaux paraissent dans « The European Physical Journal Applied Physics ». Son article le plus cité, « Modelling, analysis, and experimental study of SiC JFET body diode » (2010), a été cité 2 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 1 chercheur, notamment dans des établissements de France.

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Domaines de recherche

GaN-based semiconductor devices and materials
Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Advanced DC-DC Converters
Semiconductor materials and interfaces

Publications (1)

Modelling, analysis, and experimental study of SiC JFET body diode
2010 · The European Physical Journal Applied Physics · cité 2 fois

Collaborations

Établissements partenaires : Université de Lyon · National Engineering School of Tunis · Laboratoire Ampère · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon · Tunis El Manar University

Pays des co-auteurs : France

Co-auteurs

Tarek Ben Salah

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).