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K. Laoufi

Affiliation : University of Bechar

2Publications (affiliation algérienne)
2Publications au total
4Citations
1Indice h

Profil de recherche

K. Laoufi compte 2 publications référencées (2021–2024). Ses travaux paraissent principalement dans « International Conference on Photonics, Optics and Laser Technology » et « Journal of Ovonic Research ». Son article le plus cité, « Optimized design of strain-compensated InxGa1-xN/GaN and InxGa1-xN/InYGa1-YN multiple-quantum-well laser diodes » (2021), a été cité 4 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 6 chercheurs.

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Domaines de recherche

Semiconductor Quantum Structures and Devices
solar cell performance optimization
GaN-based semiconductor devices and materials
Semiconductor Lasers and Optical Devices

Publications (2)

Improving a Compressively Strained Ga x In 1-X N y As 1-Y /GaAs Multiple Quantum Well Lasers for Emitting around 1300 Nm
2024 · International Conference on Photonics, Optics and Laser Technology
Optimized design of strain-compensated InxGa1-xN/GaN and InxGa1-xN/InYGa1-YN multiple-quantum-well laser diodes
2021 · Journal of Ovonic Research · cité 4 fois

Revues de publication

International Conference on Photonics, Optics and Laser Technology × 1
Journal of Ovonic Research × 1

Publications par année

20241
20211

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).