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S.S. Islam

Affiliation : University of Central Florida

1Publications (affiliation américaine)
31Publications au total
437Citations
10Indice h

Profil de recherche

S.S. Islam compte 1 publication référencée (2026). Ses travaux paraissent dans « Chinese Journal of Physics ». Son article le plus cité, « Synergistic first-principles and SCAPS-1D study of halide-site engineered Sr₃BiX₃ (X = I, Br, and Cl) perovskites for optoelectronic applica » (2026), a été cité 13 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 2 chercheurs.

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GaN-based semiconductor devices and materials
Advanced Power Amplifier Design
Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
Perovskite Materials and Applications

Publications (1)

Synergistic first-principles and SCAPS-1D study of halide-site engineered Sr₃BiX₃ (X = I, Br, and Cl) perovskites for optoelectronic applications
2026 · Chinese Journal of Physics · cité 13 fois

Collaborations

Établissements partenaires : The University of Texas at Tyler

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).