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Bernard Beaumont

Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications

2Publications (affiliation française)
283Publications au total
7453Citations
45Indice h

OpenAlex

Profil de recherche

Bernard Beaumont compte 2 publications référencées (1996–1997). Ses travaux paraissent principalement dans « Journal of Crystal Growth » et « MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ». Son article le plus cité, « High quality GaN grown by MOVPE » (1997), a été cité 76 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 3 chercheurs.

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Domaines de recherche

GaN-based semiconductor devices and materials
Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Semiconductor materials and interfaces
Acoustic Wave Resonator Technologies
Semiconductor Quantum Structures and Devices

Publications (2)

High quality GaN grown by MOVPE
1997 · Journal of Crystal Growth · cité 76 fois
Alternative N precursors and Mg doped GaN grown by MOVPE
1996 · MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research · cité 15 fois

Revues de publication

Journal of Crystal Growth × 1
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research × 1

Publications par année

19971
19961

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).