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A. Moussi

Affiliation : Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energétique

• 1Publications (affiliation algérienne)
• 3Publications au total
• 7Citations
• 2Indice h

OpenAlex

Profil de recherche

A. Moussi compte 1 publication référencée (2019). Ses travaux paraissent dans « Surface Engineering ». Son article le plus cité, « Rapid Thermal Process for Crystallization Silicon Nitride Films » (2019), a été cité 4 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 3 chercheurs.

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Domaines de recherche

• Silicon Nanostructures and Photoluminescence
• Luminescence Properties of Advanced Materials
• Metal and Thin Film Mechanics
• Semiconductor materials and devices
• Diamond and Carbon-based Materials Research

Publications (1)

• Rapid Thermal Process for Crystallization Silicon Nitride Films
  2019 · Surface Engineering · cité 4 fois

Collaborations

Établissements partenaires : University of Sciences and Technology Houari Boumediene

Co-auteurs

• Linda Mahiou
• Ratiba Outemzabet
• Samir Meziani

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).