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E. Vanelle
Affiliation : Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse · Centre National de la Recherche Scientifique
- 2Publications (affiliation française)
- 35Publications au total
- 395Citations
- 10Indice h
Profil de recherche
E. Vanelle compte 2 publications référencées (2000–2001). Ses travaux paraissent principalement dans « Optical Materials » et « Semiconductor Science and Technology ». Son article le plus cité, « Carrier dynamics in GaAs–Al0.46Ga0.54As superlattice structure grown by molecular beam epitaxy » (2001), a été cité 2 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 1 chercheur.
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- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Quantum and electron transport phenomena
- Quantum Dots Synthesis And Properties
- Advanced Semiconductor Detectors and Materials
- Semiconductor materials and interfaces
Publications (2)
- Carrier dynamics in GaAs–Al0.46Ga0.54As superlattice structure grown by molecular beam epitaxy
- Influence of excitation energy on carrier dynamics in GaAs-Al0.46Ga0.54As superlattice
Revues de publication
- Optical Materials × 1
- Semiconductor Science and Technology × 1
Publications par année
- 20011
- 20001
Co-auteurs
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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