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A. Alarcón
Affiliation : Universitat Autònoma de Barcelona
- 2Publications (affiliation espagnole)
- 32Publications au total
- 260Citations
- 9Indice h
Profil de recherche
A. Alarcón compte 2 publications référencées (2011–2012). Ses travaux paraissent principalement dans « Fluctuation and Noise Letters » et « Spanish Conference on Electron Devices ». Son article le plus cité, « EFFECT OF GATE-ALL-AROUND TRANSISTOR GEOMETRY ON THE HIGH-FREQUENCY NOISE: ANALYTICAL DISCUSSION » (2012), a été cité 13 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 5 chercheurs, notamment dans des établissements de Maroc.
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- Quantum and electron transport phenomena
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Quantum Mechanics and Applications
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Graphene research and applications
Publications (2)
- EFFECT OF GATE-ALL-AROUND TRANSISTOR GEOMETRY ON THE HIGH-FREQUENCY NOISE: ANALYTICAL DISCUSSION
- Study of the effect of device geometry on the AC behaviour of nanoelectronic devices
Revues de publication
- Fluctuation and Noise Letters × 1
- Spanish Conference on Electron Devices × 1
Publications par année
- 20121
- 20111
Collaborations
Établissements partenaires : Abdelmalek Essaâdi University
Pays des co-auteurs : Maroc
Co-auteurs
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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