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Ali Houadef
Affiliation : University of Boumerdes
- 6Publications (affiliation algérienne)
- 9Publications au total
- 23Citations
- 4Indice h
Profil de recherche
Ali Houadef compte 6 publications référencées (2020–2022). Ses travaux paraissent principalement dans « International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems (ICCEIS) », « Microelectronics Reliability » et « International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering ». Son article le plus cité, « Process and performance optimization of Triple‐RESURF LDMOS with Trenched‐Gate » (2021), a été cité 5 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 1 chercheur.
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- Semiconductor materials and devices
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
- Radio Frequency Integrated Circuit Design
Publications (6)
- Detailed total ionizing dose effects on LDMOS transistors
- Design of an LDMOS Transistor Based on the 1 µm CMOS Process for High/Low Power Applications
- UIS Characterization of LOCOS-Based LDMOS Transistor Fabricated by 1 µm CMOS Process
- Process and performance optimization of Triple‐RESURF LDMOS with Trenched‐Gate
- Hot Carrier Degradation in Triple-RESURF LDMOS with Trenched-Gate
- HCI Degradation of LOCOS-based LDMOS Transistor fabricated by 1 μ m CMOS Process
Revues de publication
- International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems (ICCEIS) × 2
- Microelectronics Reliability × 1
- International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering × 1
- IEEE International Conference on Microelectronics (MIEL) × 1
Publications par année
- 20223
- 20212
- 20201
Collaborations
Établissements partenaires : Centre de Développement des Technologies Avancées
Co-auteurs
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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