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M. Leroux

Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications

  • 9Publications (affiliation française)
  • 354Publications au total
  • 8163Citations
  • 48Indice h

Profil de recherche

M. Leroux compte 9 publications référencées (2002–2017). Ses travaux paraissent principalement dans « HAL », « Journal of Applied Physics » et « Journal of Physics Condensed Matter ». Son article le plus cité, « Atomic structure of pyramidal defects in Mg-doped GaN » (2003), a été cité 92 fois. 3 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de États-Unis, Tunisie.

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Domaines de recherche

  • GaN-based semiconductor devices and materials
  • Semiconductor Quantum Structures and Devices
  • Strong Light-Matter Interactions
  • Acoustic Wave Resonator Technologies
  • solar cell performance optimization

Publications (9)

Revues de publication

  • HAL × 2
  • Journal of Applied Physics × 2
  • Journal of Physics Condensed Matter × 1
  • IEEE International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) × 1
  • Nanotechnology × 1
  • Physical review. B, Condensed matter × 1

Publications par année

  • 20171
  • 20161
  • 20151
  • 20144
  • 20031
  • 20021

Collaborations

Établissements partenaires : Columbia Region Healthcare Engineers Association · Laboratoire Charles Coulomb · Tunis University · Tunis El Manar University · Laboratoire Photonique, Numérique et Nanosciences

Pays des co-auteurs : États-Unis · Tunisie

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).

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