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D. Verstraeten
Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux
- 2Publications (affiliation française)
- 21Publications au total
- 144Citations
- 4Indice h
Profil de recherche
D. Verstraeten compte 2 publications référencées (2001–2003). Ses travaux paraissent principalement dans « Semiconductor Science and Technology » et « Optical Materials ». Son article le plus cité, « A combined EPR and modulated photocurrent study of native defects in Bridgman grown vanadium doped cadmium telluride: the case of the tellur » (2003), a été cité 24 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 5 chercheurs, notamment dans des établissements de Tunisie.
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- Advanced Semiconductor Detectors and Materials
- Photorefractive and Nonlinear Optics
- Crystal Structures and Properties
- Optical and Acousto-Optic Technologies
- Chalcogenide Semiconductor Thin Films
Publications (2)
- A combined EPR and modulated photocurrent study of native defects in Bridgman grown vanadium doped cadmium telluride: the case of the tellurium antisite
- A photoluminescence study of vanadium-related defects in n-type, semi-insulating and p-type Cd(Zn)Te
Revues de publication
- Semiconductor Science and Technology × 1
- Optical Materials × 1
Publications par année
- 20031
- 20011
Collaborations
Établissements partenaires : Supélec · Laboratoire de Génie Électrique et Électronique de Paris · University of Sfax
Pays des co-auteurs : Tunisie
Co-auteurs
- Jean‐Claude Launay
- Aroussi Ben Mahmoud
- Oudomsack Viraphong
- Hans Jürgen von Bardeleben
- Christophe Longeaud
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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