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Ali Hamoudi

Affiliation : Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives · CEA Grenoble

1Publications (affiliation française)
24Publications au total
215Citations
8Indice h

Profil de recherche

Ali Hamoudi compte 1 publication référencée (1995). Ses travaux paraissent dans « Journal of Applied Physics ». Son article le plus cité, « Intermixing produced by ion implantation: Case of II–VI semiconductor multilayers » (1995), a été cité 3 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 3 chercheurs.

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Domaines de recherche

Semiconductor Quantum Structures and Devices
Semiconductor Lasers and Optical Devices
Photonic and Optical Devices
Semiconductor materials and interfaces
Advanced Semiconductor Detectors and Materials

Publications (1)

Intermixing produced by ion implantation: Case of II–VI semiconductor multilayers
1995 · Journal of Applied Physics · cité 3 fois

Collaborations

Établissements partenaires : Université Joseph Fourier

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).