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J.C. Bureau
Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
- 4Publications (affiliation française)
- 51Publications au total
- 367Citations
- 12Indice h
Profil de recherche
J.C. Bureau compte 4 publications référencées (1998–2002). Ses travaux paraissent principalement dans « Applied Surface Science », « Sensors and Microsystems » et « The European Physical Journal Applied Physics ». Son article le plus cité, « Surface model of formation of silicon nitride on monocrystalline silicon » (2002), a été cité 5 fois. 2 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 8 chercheurs, notamment dans des établissements de Tunisie.
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- Semiconductor materials and devices
- Semiconductor materials and interfaces
- Hydrogen Storage and Materials
- Copper Interconnects and Reliability
- Solid-state spectroscopy and crystallography
Publications (4)
- Surface model of formation of silicon nitride on monocrystalline silicon
- Nitrided Oxides Efficiency as Boron Diffusion Barrier from Polysilicon Gate Electrodes
- The residual electrically active damage in low energy boron implanted silicon: rapid thermal annealing and implant mass effects
- RTA processing of ionic boron implanted in silicon through screen oxide films: effects of some technological parameters
Revues de publication
- Applied Surface Science × 1
- Sensors and Microsystems × 1
- The European Physical Journal Applied Physics × 1
- Annales de Chimie Science des Matériaux × 1
Publications par année
- 20021
- 20001
- 19982
Collaborations
Établissements partenaires : National Institute of Applied Science and Technology · Tunis University
Pays des co-auteurs : Tunisie
Co-auteurs
- Z. Sassi
- Bernard Balland
- Lanouar Kaabi
- Christian Gontrand
- J BENBRAHIM
- B. Remaki
- Hamid El Omari
- Khalid Chafik
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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