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P. Pons
Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
- 18Publications (affiliation française)
- 427Publications au total
- 3160Citations
- 28Indice h
Profil de recherche
P. Pons compte 18 publications référencées (2000–2018). Ses travaux paraissent principalement dans « Journal of Micromechanics and Microengineering », « International Multi-Conference on Systems, Signals & Devices (SSD) » et « International Conference on Engineering & MIS (ICEMIS) ». Son article le plus cité, « Characterisation and modelling of the mismatch of TCRs and their effects on the drift of the offset voltage of piezoresistive pressure senso » (2000), a été cité 28 fois. 8 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 8 chercheurs, notamment dans des établissements de Tunisie.
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- Advanced MEMS and NEMS Technologies
- Sensor Technology and Measurement Systems
- Microwave Engineering and Waveguides
- Microwave and Dielectric Measurement Techniques
- Acoustic Wave Resonator Technologies
Publications (18)
- Design and fabrication of a continuously tuned capacitor by microfluidic actuation
- Design and Simulation of a 10 GHz VCO Using an RF MEMS Solenoid Inductor
- Modeling of Microfluidically Tuned Capacitor for RF Applications
- Analyzes of VCO performances based on RF spiral inductors
- Leakage current effect on fixed and tunable solenoid RF MEMS inductors
- Fabrication and modeling of a capacitor microfluidically tuned by water
- Fabrication and Modeling of a Capacitor Microfluidically Tuned by Water
- Tunable MEMS capacitor: influence of fluids
- RF MEMS continuous reversible variable inductor based on a microfluidic network
- Modelling of Thermal Behavior N-Doped Silicon Resistor
- Fabrication and evaluation of an on-chip liquid micro-variable inductor
- Liquid RF MEMS variable inductor
- Variable RF MEMS fluidic inductor incorporating lamination process
- RF MEMS fluidic variable inductor
- Combined effect of the membrane flatness defect and real dimension gauges on the sensitivity of a silicon piezoresistive pressure sensor
- Study of the thermal drift of the offset voltage of silicon pressure sensor
- Effect of the silicon membrane flatness defect on the piezoresistive pressure sensor response
- Characterisation and modelling of the mismatch of TCRs and their effects on the drift of the offset voltage of piezoresistive pressure sensors
Revues de publication
- Journal of Micromechanics and Microengineering × 2
- International Multi-Conference on Systems, Signals & Devices (SSD) × 2
- International Conference on Engineering & MIS (ICEMIS) × 2
- IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS) × 2
- HAL × 1
- IEEE Electron Device Letters × 1
Publications par année
- 20183
- 20173
- 20162
- 20131
- 20121
- 20111
- 20103
- 20032
- 20021
- 20001
Collaborations
Établissements partenaires : Université de Toulouse · Université Toulouse III - Paul Sabatier · University of Monastir · Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse
Pays des co-auteurs : Tunisie
Co-auteurs
- Ali Boukabache
- Issam El Gmati
- Rémy Fulcrand
- Pierre-François Calmon
- Gabriel Blasquez
- Kamel Besbes
- Hatem Boussetta
- A. Kallala
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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