E. Morvan

الانتماء : Thales (France)

1منشورات (انتماء فرنسي)
159مجموع المنشورات
3452الاستشهادات
24مؤشر h

الملف البحثي

لدى E. Morvan 1 منشور(ات) مفهرسة (2005). تُنشر أعماله أساسًا في «Solid-State Electronics». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Conductance deep-level transient spectroscopy study of 1μm gate length 4H-SiC MESFETs» (2005)، وقد استُشهد به 9 مرة. شارك في تأليف أعماله 5 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في تونس.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

Silicon Carbide Semiconductor Technologies
GaN-based semiconductor devices and materials
Advanced Power Amplifier Design
Semiconductor materials and interfaces
Semiconductor materials and devices

المنشورات (1)

Conductance deep-level transient spectroscopy study of 1μm gate length 4H-SiC MESFETs
2005 · Solid-State Electronics · استُشهد به 9 مرة

التعاون العلمي

المؤسسات الشريكة : Centre National de la Recherche Scientifique · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon · University of Monastir

بلدان المؤلفين المشاركين : تونس

المؤلفون المشاركون

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).