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E. Morvan

Affiliation : Thales (France)

1Publications (affiliation française)
159Publications au total
3452Citations
24Indice h

Profil de recherche

E. Morvan compte 1 publication référencée (2005). Ses travaux paraissent dans « Solid-State Electronics ». Son article le plus cité, « Conductance deep-level transient spectroscopy study of 1μm gate length 4H-SiC MESFETs » (2005), a été cité 9 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 5 chercheurs, notamment dans des établissements de Tunisie.

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Domaines de recherche

Silicon Carbide Semiconductor Technologies
GaN-based semiconductor devices and materials
Advanced Power Amplifier Design
Semiconductor materials and interfaces
Semiconductor materials and devices

Publications (1)

Conductance deep-level transient spectroscopy study of 1μm gate length 4H-SiC MESFETs
2005 · Solid-State Electronics · cité 9 fois

Collaborations

Établissements partenaires : Centre National de la Recherche Scientifique · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon · University of Monastir

Pays des co-auteurs : Tunisie

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).