الرئيسية › دليل الباحثين › Georges E. Bremond
Georges E. Bremond
الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · Institut des Nanotechnologies de Lyon · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
- 30منشورات (انتماء فرنسي)
- 311مجموع المنشورات
- 2971الاستشهادات
- 28مؤشر h
الملف البحثي
لدى Georges E. Bremond 30 منشور(ات) مفهرسة (1992–2023). تُنشر أعماله أساسًا في «Semiconductor Science and Technology»، «Materials Science and Engineering C» و«Physica B Condensed Matter». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Optical properties of self-assembled InAs quantum islands grown on InP(001) vicinal substrates» (2001)، وقد استُشهد به 44 مرة. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في تونس، البرتغال، كندا.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Semiconductor materials and interfaces
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Semiconductor materials and devices
- Silicon Nanostructures and Photoluminescence
- Silicon and Solar Cell Technologies
المنشورات (30)
- Optimization of the performance of micromorph tandem solar cell a-Si/uc-Si
- Optimization of the performance of micromorph tandem solar cell a-Si/μc-Si
- Electrical properties of self-assembled InAs/InAlAs quantum dots on InP
- Morphology and optical properties of p-type porous GaAs(100) layers made by electrochemical etching
- Capacitance–voltage analysis of InAs quantum dots grown on InAlAs/InP(0 0 1)
- Study of porous III–V semiconductors by electron spectroscopies (AES and XPS) and optical spectroscopy (PL): Effect of ionic bombardment and nitridation process
- Deep level transient spectroscopy studies at low temperature of In0.52Al0.48As epilayers
- Toward long wavelength low density InAs/GaAs quantum dots
- Hole emission processes from InAs quantum dots grown on p-type InAlAs/InP(0 0 1)
- Optimizing the spacer layer thickness of vertically stacked InAs/GaAs quantum dots
- Thermal annealing effects on photoluminescence properties of vertically stacked InAs/GaAs quantum dots with optimized spacer layer thickness
- Tuning optical properties of high In content InGaAs/GaAs capped InAs quantum dots by post growth rapid thermal annealing
- Effective generation lifetime depth profile in InAs quantum dots grown on InAlAs/InP(0 0 1)
- Evidence of lateral coupling in long wavelength vertically stacked InAs/GaAs(001) quantum dots
- Arsenic pressure and spacer layer thickness effects on the optical properties of stacked InAs/InAlAs quantum dot array
- Capacitance–voltage profile characteristics of Schottky barrier structure with InAs quantum dots grown on InAlAs/InP(001)
- Long wavelength vertically stacked InAs/GaAs(001) quantum dots with a bimodal size distribution: Optical properties and electronic coupling
- Spacer layer thickness effects on the photoluminescence properties of InAs/GaAs quantum dot superlattices
- Optical properties of self-organized InAs nanostructures grown on InAlAs/InP(001)
- Effect of spacer layer thickness on the optical properties of stacked InAs/InAlAs quantum wires grown on InP (001)
- Electron traps in metalorganic chemical vapor deposition grown Al0.2Ga0.8As
- Electrical field effect on the optical threshold energy of donor and acceptor levels in chromium-doped GaP
- Electrical field effect on both thermal ionization energy and optical threshold energy of the Cr3+/4+ deep donor level in GaP
- Numerical simulation of photorefractive gain in CdTe:V with optimum frequency of the electric field
- Optical properties of self-assembled InAs quantum islands grown on InP(001) vicinal substrates
- Self-organized growth, ripening, and optical properties of uncapped InP/GaP (100) islands
- Optical spectroscopy of titanium-doped CdZnTe
- Poole–Frenkel effect assisted emission from deep donor level in chromium doped GaP
- Role of zinc in the optical properties of vanadium-doped CdZnTe
- Stoichiometry-dependent native acceptor and donor levels in Ga-rich-n-type gallium arsenide
مجلات النشر
- Semiconductor Science and Technology × 5
- Materials Science and Engineering C × 4
- Physica B Condensed Matter × 3
- Microelectronics Journal × 2
- Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics × 2
- Applied Physics Letters × 2
المنشورات حسب السنة
- 20231
- 20102
- 20082
- 20072
- 20062
- 20057
- 20041
- 20035
- 20022
- 20011
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : École Centrale de Lyon · Institut Pascal · Université Blaise Pascal · Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse · Lyon 1 Université
بلدان المؤلفين المشاركين : تونس · البرتغال · كندا
المؤلفون المشاركون
- Bassem Salem
- M. Gendry
- Olivier Marty
- G. Guillot
- J. Brault
- A. Zerrai
- Robert Triboulet
- B. Gruzza
- M. Lemiti
- Christine Robert‐Goumet
- Sana Ben Khalifa
- Mathieu Sénès
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.