الرئيسية › دليل الباحثين › M. Gendry
M. Gendry
الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · Institut des Nanotechnologies de Lyon · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
- 33منشورات (انتماء فرنسي)
- 389مجموع المنشورات
- 3759الاستشهادات
- 31مؤشر h
الملف البحثي
لدى M. Gendry 33 منشور(ات) مفهرسة (2001–2020). تُنشر أعماله أساسًا في «Applied Physics Letters»، «Semiconductor Science and Technology» و«Journal of Luminescence». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Distribution of barrier heights in metal/n-InAlAs Schottky diodes from current–voltage–temperature measurements» (2014)، وقد استُشهد به 45 مرة. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في تونس، كندا، البرتغال.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Nanowire Synthesis and Applications
- Semiconductor materials and interfaces
- solar cell performance optimization
- Quantum Dots Synthesis And Properties
المنشورات (33)
- Temperature dependence of optical properties of InAs/InP quantum rod-nanowires grown on Si substrate
- Thermal transfer and interaction mechanisms of localized excitons in families of InAs quantum dashes grown on InP(001) vicinal substrate emitting near 1.55 μm wavelength
- Erratum: “Thermal transfer and interaction mechanisms of localized excitons in families of InAs quantum dashes grown on InP(001) vicinal substrate emitting near 1.55 μm wavelength”
- Thermal transfer and interaction mechanisms of localized excitons in families of InAs quantum dashes grown on InP(001) vicinal substrate emitting near 1.55 µm wavelength
- Distribution of barrier heights in metal/n-InAlAs Schottky diodes from current–voltage–temperature measurements
- Piezoelectric effect in InAs/InP quantum rod nanowires grown on silicon substrate
- Photoluminescence polarization and piezoelectric properties of InAs/InP quantum rod-nanowires
- Polarization properties of single and ensembles of InAs/InP quantum rod nanowires emitting in the telecom wavelengths
- Carriers' localization and thermal redistribution in post growth voluntarily tuned quantum dashes' size/composition distribution
- Optical investigation of InAs quantum dashes grown on InP(001) vicinal substrate
- Quantum efficiency of InAs/InP nanowire heterostructures grown on silicon substrates
- Excitonic properties of wurtzite InP nanowires grown on silicon substrate
- Growth temperature dependence of exciton lifetime in wurtzite InP nanowires grown on silicon substrates
- InAs/InP nanowires grown by catalyst assisted molecular beam epitaxy on silicon substrates
- Impact of substrate-induced strain and surface effects on the optical properties of InP nanowires
- GROWTH OF In2O3 ON In METAL AND ON InSb BY THE ELECTRON IRRADIATION
- Coulomb charging effect of electrons in InAs/InAlAs quantum dots studied by capacitance techniques
- Temperature Dependent Photoluminescence Properties of InAs/InP Quantum Dashes Subjected to Low Energy Phosphorous Ion Implantation and Subsequent Annealing
- Tunnelling current in Schottky diodes containing InAs quantum dots
- Optical properties of wurtzite InAs/InP core-shell nanowires grown on silicon substrates
- Impact of ion-implantation-induced band gap engineering on the temperature-dependent photoluminescence properties of InAs/InP quantum dashes
- Electrical properties of self-assembled InAs/InAlAs quantum dots on InP
- Impact of ion-implantation-induced band gap engineering on the temperature-dependent photoluminescence properties of InAs/InP quantum dashes
- Optical and structural properties of INP nanowires grown on silicon substrate
- Capacitance–voltage analysis of InAs quantum dots grown on InAlAs/InP(0 0 1)
- Deep level transient spectroscopy studies at low temperature of In0.52Al0.48As epilayers
- Hole emission processes from InAs quantum dots grown on p-type InAlAs/InP(0 0 1)
- Effective generation lifetime depth profile in InAs quantum dots grown on InAlAs/InP(0 0 1)
- Arsenic pressure and spacer layer thickness effects on the optical properties of stacked InAs/InAlAs quantum dot array
- Capacitance–voltage profile characteristics of Schottky barrier structure with InAs quantum dots grown on InAlAs/InP(001)
- Optical properties of self-organized InAs nanostructures grown on InAlAs/InP(001)
- Effect of spacer layer thickness on the optical properties of stacked InAs/InAlAs quantum wires grown on InP (001)
- Optical properties of self-assembled InAs quantum islands grown on InP(001) vicinal substrates
مجلات النشر
- Applied Physics Letters × 4
- Semiconductor Science and Technology × 3
- Journal of Luminescence × 2
- International Journal of Modern Physics B × 2
- HAL × 2
- Conference proceedings. ... International Conference on Indium Phosphide and Related Materials × 2
المنشورات حسب السنة
- 20201
- 20163
- 20143
- 20134
- 20125
- 20114
- 20104
- 20081
- 20071
- 20061
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : Université de Lyon · École Centrale de Lyon · University of Monastir · Lyon 1 Université · Laboratoire des Technologies de la Microélectronique
بلدان المؤلفين المشاركين : تونس · كندا · البرتغال
المؤلفون المشاركون
- Bassem Salem
- Nicolas Chauvin
- Catherine Bru‐Chevallier
- Gilles Patriarche
- K. Naji
- Georges E. Bremond
- Mohamed Helmi Hadj Alouane
- Roman Anufriev
- Hammadi Khmissi
- J. Brault
- Olivier Marty
- Artur Turala
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.