الرئيسية › دليل الباحثين › A. Talbi
A. Talbi
الانتماء : Université Djilali de Sidi Bel Abbès
- 15منشورات (انتماء جزائري)
- 17مجموع المنشورات
- 122الاستشهادات
- 5مؤشر h
الملف البحثي
لدى A. Talbi 15 منشور(ات) مفهرسة (2001–2026). تُنشر أعماله أساسًا في «Journal of Nano- and Electronic Physics»، «The Eurasia Proceedings of Science Technology Engineering and Mathematics» و«Materials Science and Engineering C». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Electrical characterization of Au/n-GaN Schottky diodes» (2004)، وقد استُشهد به 44 مرة. 3 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Semiconductor materials and interfaces
- Semiconductor materials and devices
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Silicon and Solar Cell Technologies
المنشورات (15)
- Interface states effect on conduction mechanisms and barrier height homogeneities of Au/n-GaAs Schottky structures in a wide temperature range
- C-V and G-V Characteristics of Nitridated GaAs (100) Structures as Function of Frequency-Effect of Series Resistance
- Study of the Effect of InP (100) Nitridation Time by XPS Analysis and Electrical Characterisation
- Electrical Study of Au/GaN/GaAs (100) Structures as a Function of Frequency
- Electrical Characterization and Interface State Density in Au/n-InN/InP Schottky Diode
- Impact of III-Nitride/Si Interface Preconditioning on Breakdown Voltage in GaN-on-Silicon HEMT
- Optimization of the Electrical Characteristics of the Au/n-type InN/InP Schottky Diode Based on the Contact Technique of Different Diameters
- Numerical Study of the Impact of Junction Depth and the Surface Recombination Velocity on Electrical Parameters of GaAs-Solar Cell
- Analysis of C-V Characteristics of InP(p)/InSb/Al2O3/Au MIS Structures in Wide Temperature Range
- Nitridation of InP(100) substrates studied by XPS spectroscopy and electrical analysis
- Electrical transport characteristics of Au/n-GaN Schottky diodes
- Electrical characterization of Au/n-GaN Schottky diodes
- Study and improvement of interfacial properties in a MIS structure based on p-type InP
- Electrical parameters evolution of Au/InP(100) and Au/InSb/InP(100) systems with restructuring conditions
- Effect of InSb buffer layer in MIS structures based on InP
مجلات النشر
- Journal of Nano- and Electronic Physics × 3
- The Eurasia Proceedings of Science Technology Engineering and Mathematics × 2
- Materials Science and Engineering C × 2
- Vacuum × 2
- Revista Mexicana de Física × 1
- Micromachines × 1
المنشورات حسب السنة
- 20261
- 20252
- 20221
- 20212
- 20201
- 20191
- 20131
- 20061
- 20051
- 20041
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : Université Mustapha Stambouli de Mascara · Centre de Développement des Technologies Avancées · École Supérieure en Sciences Appliquées de Tlemcen · École Nationale Polytechnique d'Oran · University of Abou Bekr Belkaïd
المؤلفون المشاركون
- Z. Benamara
- Boudali Akkal
- Mekki Abdelkader Benamara
- Abdelkrim Khediri
- Mohammed Berka
- Schahrazade Tizi
- Abdelkader Baghdad Bey
- Fatima Yasmine Maroua BENAMARA
- Benamara Fatima Yasmine Maroua
- Chami Nadir
- Toumi Hayet
- Hayat Toumi
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.