الرئيسية › دليل الباحثين › A. Boursali
A. Boursali
الانتماء : University of Abou Bekr Belkaïd
- 2منشورات (انتماء جزائري)
- 6مجموع المنشورات
- 7الاستشهادات
- 1مؤشر h
الملف البحثي
لدى A. Boursali 2 منشور(ات) مفهرسة (2020–2022). تُنشر أعماله أساسًا في «Research Square» و«International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE)». أكثر مقالاته استشهادًا هو «DC and RF characteristics of 20 nm gate length InAlAs/InGaAs/InP HEMTs for high frequency application» (2020)، وقد استُشهد به 7 مرة. شارك في تأليف أعماله 3 باحثًا على الأقل.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Radio Frequency Integrated Circuit Design
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Advanced Power Amplifier Design
المنشورات (2)
- Impact of Indium concentration In0.52 Al0.48 As/Inx Ga1-x As/InP HEMT device on DC and AC performances
- DC and RF characteristics of 20 nm gate length InAlAs/InGaAs/InP HEMTs for high frequency application
مجلات النشر
- Research Square × 1
- International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) × 1
المنشورات حسب السنة
- 20221
- 20201
المؤلفون المشاركون
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.