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A. Boursali

Affiliation : University of Abou Bekr Belkaïd

2Publications (affiliation algérienne)
6Publications au total
7Citations
1Indice h

Profil de recherche

A. Boursali compte 2 publications référencées (2020–2022). Ses travaux paraissent principalement dans « Research Square » et « International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) ». Son article le plus cité, « DC and RF characteristics of 20 nm gate length InAlAs/InGaAs/InP HEMTs for high frequency application » (2020), a été cité 7 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 3 chercheurs.

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Domaines de recherche

GaN-based semiconductor devices and materials
Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
Radio Frequency Integrated Circuit Design
Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Advanced Power Amplifier Design

Publications (2)

Impact of Indium concentration In0.52 Al0.48 As/Inx Ga1-x As/InP HEMT device on DC and AC performances
2022 · Research Square
DC and RF characteristics of 20 nm gate length InAlAs/InGaAs/InP HEMTs for high frequency application
2020 · International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) · cité 7 fois

Revues de publication

Research Square × 1
International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) × 1

Publications par année

20221
20201

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).