الرئيسية › دليل الباحثين › P. Gonon
P. Gonon
الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · Université Grenoble Alpes
- 24منشورات (انتماء فرنسي)
- 228مجموع المنشورات
- 2978الاستشهادات
- 31مؤشر h
الملف البحثي
لدى P. Gonon 24 منشور(ات) مفهرسة (2006–2020). تُنشر أعماله أساسًا في «Journal of Applied Physics»، «Journal of Materials Science Materials in Electronics» و«Applied Physics Letters». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Resistance switching in HfO2 metal-insulator-metal devices» (2010)، وقد استُشهد به 124 مرة. 3 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في تونس، الجزائر.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Semiconductor materials and devices
- Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
- Advanced Memory and Neural Computing
- Copper Interconnects and Reliability
- Ferroelectric and Piezoelectric Materials
المنشورات (24)
- Ag/HfO2-based conductive bridge memories elaborated by atomic layer deposition: impact of inert electrode and HfO2 crystallinity on resistive switching mechanisms
- Correlations between first-principles calculations and electric properties of HfO2:Al2O3 alloys for metal–insulator–metal (MIM) capacitor applications
- AC and DC bias effect on capacitance–voltage nonlinearities in Au/HfO2/M (M = Pt, TiN, W, and AlCu) MIM capacitors: effect of the bottom electrode material
- On the mechanisms of cation injection in conducting bridge memories: The case of HfO2 in contact with noble metal anodes (Au, Cu, Ag)
- Low-frequency dielectric properties of intrinsic and Al-doped rutile TiO2 thin films grown by the atomic layer deposition technique
- Reliability of HfO 2 metal–insulator–metal capacitors under AC stress
- Mechanisms of resistance switching in nanometric metal oxides and their dependence on electrodes
- Investigation of electrical properties of HfO2 metal–insulator–metal (MIM) devices
- Differences between direct current and alternating current capacitance nonlinearities in high-k dielectrics and their relation to hopping conduction
- Experimental evaluation of the forming process of virgin HfO2 memory cells by capacitance–voltage measurements
- Change in Admittance of HfO2 Metal-Insulator-Metal (MIM) Capacitors after dc Bias Stress
- Charge transport and relaxation in hydrogenated barium titanate films and their potential for integrated supercapacitors
- Charge transport and relaxation in hydrogenated barium titanate films and their potential for integrated supercapacitors
- Voltage-induced recovery of dielectric breakdown (high current resistance switching) in HfO2
- Resistance switching in HfO2 metal-insulator-metal devices
- Electrode oxygen-affinity influence on voltage nonlinearities in high-k metal-insulator-metal capacitors
- Enhancement of the Double-Layer Capacitance in BaTiO[sub 3]:H-Based Solid Electrolyte
- EFFECT OF THE OXYGEN ADDITION IN THE SPUTTERING GAS ON THE DIELECTRIC PROPERTIES OF a-BaTiO3 FILMS
- Dielectric properties of amorphous BaTiO3 films deposited by RF magnetron sputtering
- Thermally stimulated currents in amorphous barium titanate thin films deposited by rf magnetron sputtering
- Space charge limited transient currents and oxygen vacancy mobility in amorphous BaTiO3 thin films
- Dielectric response of an epoxy resin when exposed to high temperatures
- Investigation of electrically active defects in amorphous barium titanate thin films
- Relaxation of defects in amorphous barium titanate thin films
مجلات النشر
- Journal of Applied Physics × 7
- Journal of Materials Science Materials in Electronics × 3
- Applied Physics Letters × 2
- Materials Science in Semiconductor Processing × 2
- Journal of Physics D Applied Physics × 1
- International Conference on Properties and Applications of Dielectric Materials (ICPADM) × 1
المنشورات حسب السنة
- 20203
- 20163
- 20151
- 20143
- 20131
- 20122
- 20111
- 20103
- 20081
- 20071
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : Laboratoire des Technologies de la Microélectronique · Tunis El Manar University · Université Joseph Fourier · Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives · Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information
بلدان المؤلفين المشاركين : تونس · الجزائر
المؤلفون المشاركون
- C. Vallée
- F. El Kamel
- C. Mannequin
- A. Bsiesy
- M. Kassmi
- V. Jousseaume
- Mohamed Saadi
- F. Jomni
- Alain Sylvestre
- H. Grampeix
- Corentin Jorel
- E. Jalaguier
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.