Accueil › Annuaire des chercheurs › P. Gonon
P. Gonon
Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Université Grenoble Alpes
- 24Publications (affiliation française)
- 228Publications au total
- 2978Citations
- 31Indice h
Profil de recherche
P. Gonon compte 24 publications référencées (2006–2020). Ses travaux paraissent principalement dans « Journal of Applied Physics », « Journal of Materials Science Materials in Electronics » et « Applied Physics Letters ». Son article le plus cité, « Resistance switching in HfO2 metal-insulator-metal devices » (2010), a été cité 124 fois. 3 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de Tunisie, Algérie.
C’est vous ? Faites connaître vos travaux
Créez gratuitement votre profil DzCademia et ajoutez vos articles : ils apparaîtront plus facilement sur Google et dans les assistants d’IA comme ChatGPT. Plus de personnes pourront vous lire et vous citer.
Créer mon profil gratuit Ajouter mes publicationsDomaines de recherche
- Semiconductor materials and devices
- Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
- Advanced Memory and Neural Computing
- Copper Interconnects and Reliability
- Ferroelectric and Piezoelectric Materials
Publications (24)
- Ag/HfO2-based conductive bridge memories elaborated by atomic layer deposition: impact of inert electrode and HfO2 crystallinity on resistive switching mechanisms
- Correlations between first-principles calculations and electric properties of HfO2:Al2O3 alloys for metal–insulator–metal (MIM) capacitor applications
- AC and DC bias effect on capacitance–voltage nonlinearities in Au/HfO2/M (M = Pt, TiN, W, and AlCu) MIM capacitors: effect of the bottom electrode material
- On the mechanisms of cation injection in conducting bridge memories: The case of HfO2 in contact with noble metal anodes (Au, Cu, Ag)
- Low-frequency dielectric properties of intrinsic and Al-doped rutile TiO2 thin films grown by the atomic layer deposition technique
- Reliability of HfO 2 metal–insulator–metal capacitors under AC stress
- Mechanisms of resistance switching in nanometric metal oxides and their dependence on electrodes
- Investigation of electrical properties of HfO2 metal–insulator–metal (MIM) devices
- Differences between direct current and alternating current capacitance nonlinearities in high-k dielectrics and their relation to hopping conduction
- Experimental evaluation of the forming process of virgin HfO2 memory cells by capacitance–voltage measurements
- Change in Admittance of HfO2 Metal-Insulator-Metal (MIM) Capacitors after dc Bias Stress
- Charge transport and relaxation in hydrogenated barium titanate films and their potential for integrated supercapacitors
- Charge transport and relaxation in hydrogenated barium titanate films and their potential for integrated supercapacitors
- Voltage-induced recovery of dielectric breakdown (high current resistance switching) in HfO2
- Resistance switching in HfO2 metal-insulator-metal devices
- Electrode oxygen-affinity influence on voltage nonlinearities in high-k metal-insulator-metal capacitors
- Enhancement of the Double-Layer Capacitance in BaTiO[sub 3]:H-Based Solid Electrolyte
- EFFECT OF THE OXYGEN ADDITION IN THE SPUTTERING GAS ON THE DIELECTRIC PROPERTIES OF a-BaTiO3 FILMS
- Dielectric properties of amorphous BaTiO3 films deposited by RF magnetron sputtering
- Thermally stimulated currents in amorphous barium titanate thin films deposited by rf magnetron sputtering
- Space charge limited transient currents and oxygen vacancy mobility in amorphous BaTiO3 thin films
- Dielectric response of an epoxy resin when exposed to high temperatures
- Investigation of electrically active defects in amorphous barium titanate thin films
- Relaxation of defects in amorphous barium titanate thin films
Revues de publication
- Journal of Applied Physics × 7
- Journal of Materials Science Materials in Electronics × 3
- Applied Physics Letters × 2
- Materials Science in Semiconductor Processing × 2
- Journal of Physics D Applied Physics × 1
- International Conference on Properties and Applications of Dielectric Materials (ICPADM) × 1
Publications par année
- 20203
- 20163
- 20151
- 20143
- 20131
- 20122
- 20111
- 20103
- 20081
- 20071
Collaborations
Établissements partenaires : Laboratoire des Technologies de la Microélectronique · Tunis El Manar University · Université Joseph Fourier · Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives · Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information
Pays des co-auteurs : Tunisie · Algérie
Co-auteurs
- C. Vallée
- F. El Kamel
- C. Mannequin
- A. Bsiesy
- M. Kassmi
- V. Jousseaume
- Mohamed Saadi
- F. Jomni
- Alain Sylvestre
- H. Grampeix
- Corentin Jorel
- E. Jalaguier
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
Pourquoi choisir Dzcademia ?
Pour donner à vos travaux plus de chances d’être découverts et recommandés par les IA. Profils, articles et communications : donnez à votre recherche une présence publique structurée. Les métadonnées intégrées aident les moteurs de recherche et les assistants IA à identifier vos travaux et à comprendre leurs références.
Commenter avec Google
Connecte-toi avec Google pour commenter directement sur cette page.