الرئيسية › دليل الباحثين › Jun Chen
Jun Chen
الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen · Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives · Normandie Université · Centre de Recherche sur les Ions, les Matériaux et la Photonique · Université de Caen Normandie
- 14منشورات (انتماء فرنسي)
- 82مجموع المنشورات
- 721الاستشهادات
- 15مؤشر h
الملف البحثي
لدى Jun Chen 14 منشور(ات) مفهرسة (2006–2025). تُنشر أعماله أساسًا في «Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering»، «Computational Condensed Matter» و«Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics». أكثر مقالاته استشهادًا هو «The atomic and electronic structure of dislocations in Ga-based nitride semiconductors» (2006)، وقد استُشهد به 26 مرة. 2 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 7 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في الهند، الجزائر، تونس.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Semiconductor materials and interfaces
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Fiber-reinforced polymer composites
- Carbon Nanotubes in Composites
المنشورات (14)
- m-Line Frank–Shockley Partial Dislocations in Wurtzite GaN: Atomistic Calculations and High Resolution Electron Microscopy Imaging
- Strain induced phase transitions and hysteresis in aluminium nitride: a density functional theory study
- First-principles investigation of a -line Shockley partial dislocations in wurtzite GaN: core reconstruction and electronic structure
- Interactions of amine functional group with Stone-Wales defects on single-walled carbon nanotubes: A theoretical study
- Core properties and the role of screw dislocations in the bulk n-type conductivity in InN
- First-principles calculations of threading screw dislocations in AlN and InN
- Structural and electronic properties of a-edge dislocations along ⟨1-100⟩ in GaN
- Strain and elastic constants of GaN and InN
- Core properties and mobility of the basal screw dislocation in wurtzite GaN: a density functional theory study
- Energetics and core structure of the undissociated basal screw dislocation in wurtzite GaN
- Ab initio study of chemical bond interactions between covalently functionalized carbon nanotubes via amide, ester and anhydride linkages
- Electronic structure of threading dislocations in wurtzite GaN
- The 60° basal dislocation in wurtzite GaN: Energetics, electronic and core structures
- The atomic and electronic structure of dislocations in Ga-based nitride semiconductors
مجلات النشر
- Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering × 2
- Computational Condensed Matter × 2
- Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics × 2
- ACS Applied Electronic Materials × 1
- Journal of Physics Condensed Matter × 1
- Physical Chemistry Chemical Physics × 1
المنشورات حسب السنة
- 20251
- 20241
- 20222
- 20191
- 20182
- 20171
- 20163
- 20151
- 20131
- 20061
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : Institut Pprime · Université de Poitiers · Central Institute of Medicinal and Aromatic Plants · University of Béjaïa · Centre de Recherche en Microelectronique et Nanotechnologie
بلدان المؤلفين المشاركين : الهند · الجزائر · تونس
المؤلفون المشاركون
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.